离子束溅射Si薄膜的纵向结晶性分析

研究了离子束溅射制备微晶硅薄膜的生长纵向结晶演化过程。纵向分布Raman光谱分析显示,当硅薄膜厚度减薄时,表面硅层的结晶峰强度明显减弱,峰位有微弱的蓝移。最薄的样品显示为非晶态结构。当Raman激光聚焦斑点向64.5nm厚的薄膜样品深层面聚焦取样时,微晶硅薄膜的结晶性先由表层向下逐渐变好,最大晶粒尺寸达3.318nm,最高晶化率达47.6%。最后,当激光聚焦斑点到达薄膜与玻璃衬底的界面孵化层时,硅薄膜显非晶态。