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圆形冷屏下长线列器件光敏元立体角的变化趋势及其成像仿真 被引量:6
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作者 王忆锋 范乃华 庄继胜 《红外技术》 CSCD 北大核心 2009年第11期631-633,共3页
给出了圆形冷屏限制下长线列器件光敏元立体角的数学模型。以288×4器件为例,计算了光敏元立体角的变化趋势。将这些立体角的相对值投影到0~255的整数值范围,可以得到一张伪灰度图,该图可以从某种程度上反映理想情况下器件的成像... 给出了圆形冷屏限制下长线列器件光敏元立体角的数学模型。以288×4器件为例,计算了光敏元立体角的变化趋势。将这些立体角的相对值投影到0~255的整数值范围,可以得到一张伪灰度图,该图可以从某种程度上反映理想情况下器件的成像效果。 展开更多
关键词 线列器件 立体角 红外成像系统 成像仿真
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180元HgCdTe线列器件的冷屏效应与背景限性能 被引量:1
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作者 龚海梅 李言谨 +2 位作者 胡晓宁 徐国森 方家熊 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期169-173,共5页
从理论上分析了180元HgCdTe线列器件的冷屏效应,计算了180元HgCdTe线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角(FOV)及其在300K背景辐射下的背景限探测率,并将实际的180元HgCdTe线列探测器件每个光... 从理论上分析了180元HgCdTe线列器件的冷屏效应,计算了180元HgCdTe线列探测器每个光敏元所对应的平面视场角(FOV)及其在300K背景辐射下的背景限探测率,并将实际的180元HgCdTe线列探测器件每个光敏元的性能同理论进行了比较,结果表明180元长波红外HgCdTe线列探测器的性能已经接近室温背景的理论极限. 展开更多
关键词 线列器件 冷屏效应 背景限性能 汞镉碲 红外
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用激光衍射测量微小长度的变化 被引量:1
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作者 赵晓慧 《辽宁师专学报(自然科学版)》 2002年第2期21-22,78,共3页
详述了用激光衍射方法测量金属棒在温度升高时所引起的长度变化
关键词 激光衍射方法 线列光敏器件 金属棒 微小长度变化 测量原理 测量装置 激光衍射条纹
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Field-effect passivation on silicon nanowire solar cells 被引量:5
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作者 Anna Dalmau Mallorqui Esther Alarcon-Llado +6 位作者 Ignasi Canales Mundet Amirreza Kiani Benedicte Demaurex Stefaan De Wolf Andreas Menzel Margrit Zacharias Anna Fontcuberta i Morra 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期673-681,共9页
Surface recombination represents a handicap for high-efficiency solar cells. This is especially important for nanowire array solar cells, where the surface-to-volume ratio is greatly enhanced. Here, the effect of diff... Surface recombination represents a handicap for high-efficiency solar cells. This is especially important for nanowire array solar cells, where the surface-to-volume ratio is greatly enhanced. Here, the effect of different passivation materials on the effective recombination and on the device performance is experimentally analyzed. Our solar cells are large area top-down axial n-p junction silicon nanowires fabricated by means of Near-Field Phase-Shift Lithography (NF-PSL). We report an efficiency of 9.9% for the best cell, passivated with a SiO2/SiNx stack. The impact of the presence of a surface fixed charge density at the silicon/oxide interface is studied. 展开更多
关键词 FIELD-EFFECT PASSIVATION NANOWIRE surface recombination solar cell
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