纳米级线宽标准样片的设计与制备

介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工艺制作了标称宽度为25nm~200nm的线宽样片。以50nm和200nm线宽为例对样片的线宽偏差、线边缘粗糙度、线宽均匀性和稳定性进行了考核。结果表明,标称值50nm~200nm的样片线宽值与设计值基本一致,线边缘粗糙度为1.9nm~2.0nm、均匀性为1.7nm~1.9nm,稳定性为0.06nm~0.6nm。

生产过程中的PCB线宽分析研究

在印制板生产中,PCB线宽是影响电路连接可靠性、安全性的重要指标。为研究生产过程中各工序对PCB线宽的影响,从影响线宽生产的每道工序出发,通过生产跟踪试验测量各工序PCB线宽,分析整个PCB生产中线宽变化过程及原因,建立起各工序和生产线宽之间的联系。

硅基支撑系统的光刻工艺

为提高硅基支持系统制备中光刻过程的线宽精度,用正交试验分析了前烘、曝光、显影主要步骤中一些主要参数对制备结果的影响,得到了它们的影响程度的规律以及较优的参数组合。在此基础上设计和训练了合适的前向误差反向传播神经网络,对主要工艺参数进行了进一步的分析、预测和优选,并用实验加以验证。最终得到在胶厚约1.55μm时,前烘温度100℃,时间90s;曝光时间5s;显影温度15℃,时间90s时,光刻后图形的线宽偏差最小,达到了0.3μm以下。

印制电路厚铜线路蚀刻效果的研究

考察了厚铜蚀刻深度与宽度随蚀刻时间的变化,研究了厚铜设计线距变化对侧蚀程度的影响。基于不完全蚀刻设计,对比三种计算厚铜蚀刻均匀性方法的差异,分析设计线距与蚀刻因子的相互关系。结果表明蚀刻因子随设计线距的增大而增大,线宽偏差随设计线距增大而减小。