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CIV共振谱线的电子碰撞展宽的理论计算 被引量:2
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作者 曾交龙 袁建民 +1 位作者 赵增秀 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期60-63,共4页
使用R-矩阵方法,利用碰撞近似和密耦理论,计算了确定CIV 2s S-2p2P共振 谱线的碰撞参数,并由此得到了在电子密度为10cm-3的条件下,共振谱线的线宽和线移随 温度的变化关系。计算得到的线宽与半经典的理论计算... 使用R-矩阵方法,利用碰撞近似和密耦理论,计算了确定CIV 2s S-2p2P共振 谱线的碰撞参数,并由此得到了在电子密度为10cm-3的条件下,共振谱线的线宽和线移随 温度的变化关系。计算得到的线宽与半经典的理论计算值符合得比较好,但大约只有实验线宽 的一半。 展开更多
关键词 R-矩阵方法 CIV离子 电子碰撞展宽 线宽和线
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半加成法工艺研究 被引量:10
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作者 黄勇 吴会兰 +1 位作者 陈正清 苏新虹 《印制电路信息》 2013年第8期9-13,共5页
半加成法适合生产(10 m/10 m)^(50 m/50 m)之间的精细线宽线距,目前主要有两种工艺:改良型半加成法和半加成法。本文主要探讨上述两种工艺实现方法,分析其关键工艺及业界前瞻性技术,最后对两种工艺进行对比。
关键词 半加成法 改良型半加成法 线宽和线距 图形电镀
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