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改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURF LDMOS晶体管 被引量：2
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作者 何进 张兴 +2 位作者 黄如 林晓云 何泽宏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期298-300,共3页
本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂... 本文提出了改进击穿电压和导通电阻折中性能的线性变化掺杂漂移区RESURFLDMOS晶体管新结构 .用二维器件软件MEDICI对具有线性变化掺杂漂移区的RESURFLDMOS晶体管的性能进行了数值分析并由实验对其结果进行了验证 .结果表明 :在相同的漂移区长度下 ,该新结构较之于优化的常规RESURFLDMOS晶体管 ,它的击穿电压可由 178V提高到 2 34V ,增加了 1 5倍 ,而比导通电阻却从 7 7mΩ·cm2 下降到 5mΩ·cm2 ,减小了 30 % ,显示了很好的击穿电压和导通电阻折中性能 . 展开更多
关键词 LDMOS器件 RESURF原理 线性变化掺杂漂移区 击穿电压 导通电阻 晶体管
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