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线性微波化学气相沉积制备AlO_x/SiN_x双层薄膜及钝化性能的研究
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作者 张健 巴德纯 +1 位作者 张振厚 赵崇凌 《真空》 CAS 2016年第3期7-11,共5页
通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高... 通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高质量的AlO_x薄膜和SiN_x薄膜,AlO_x薄膜生长速度达到了180nm/min,SiN_x薄膜生长速度达到了135nm/min;经过AlO_x/SiN_x双层薄膜钝化的P型单晶硅有效少子寿命达到了2300μs,且经过800℃产线烧结工序,少子寿命下降幅度很低,热稳定性优异。 展开更多
关键词 线性微波化学气相沉积 氧化铝薄膜 氮化硅薄膜 有效少子寿命
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化学气相沉积HfO_(2)涂层的制备及性能
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作者 何锐朋 朱利安 +4 位作者 王震 叶益聪 李顺 唐宇 白书欣 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第5期67-75,共9页
采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结... 采用化学气相沉积(CVD)法在难熔金属Mo表面制备厚约8μm的HfO_(2)涂层。通过HSC Chemistry软件从热力学角度探究CVD HfO_(2)的反应过程,分析HfO_(2)涂层的微观形貌、择优生长情况和纳米力学性能,测试涂层与基体的结合力及抗热震性。结果表明:HfO_(2)涂层与基体结合良好,在经历25~2000℃,100次循环热震后涂层表面未出现宏观剥落;划痕法测定的涂层附着力约23 N;在2.5~5μm波段,涂层表面平均发射率为0.48,将Mo在该波段的平均发射率提高了近5倍。 展开更多
关键词 化学沉积 氧化铪涂层 热力学计算 发射率 抗热震性
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机器学习在化学气相沉积中的应用研究进展
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作者 谢炜 明帅强 +1 位作者 夏洋 周兰江 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第2期331-339,共9页
化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的... 化学气相沉积技术是一种近几十年发展起来的制备无机材料的化工技术。随着机器学习技术的发展,其在化学气相沉积领域也发挥着不小的作用。基于此,本文概述了化学气相沉积的原理与机器学习的发展历程,分析了机器学习在化学气相沉积中的典型应用,总结并分析了未来应用的发展趋势。 展开更多
关键词 化学沉积 无机材料 薄膜 机器学习
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化学气相沉积制备高c轴取向的BiOI薄膜
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作者 徐玉琦 李晴雯 钟敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第5期841-847,共7页
碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI_(3)粉末作为蒸发源,O_(2)/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源... 碘氧化铋(BiOI)由于低毒性、对点缺陷的耐受性和较强的吸光能力而应用在光催化、光伏和光电探测器领域。本文采用化学气相沉积(CVD)方法,以BiI_(3)粉末作为蒸发源,O_(2)/Ar作为反应气体,在钠钙玻璃基底上沉积BiOI薄膜,并通过研究蒸发源温度和沉积时间对薄膜物相和形貌的影响,分析了BiOI薄膜的生长机理。结果表明CVD方法制备的BiOI薄膜属于四方晶系,具有高c轴取向的特点。c轴取向的薄膜平行于基底生长,其结晶性、透过率及缺陷性能等都与蒸发温度和沉积时间密切相关。当蒸发温度为370℃、沉积时间为20 min时,BiOI薄膜的晶化最好,透过率最低,缺陷最少。 展开更多
关键词 碘氧化铋 光电材料 化学沉积 半导体
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线性微波化学气相沉积制备SiN_x薄膜的微结构及光学性能研究 被引量:1
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作者 张健 巴德纯 +2 位作者 赵崇凌 刘坤 杜广煜 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期362-367,共6页
利用自主研发的线性微波化学气相沉积系统在不同微波功率、微波占空比、基片温度、特气比例条件下制备了SiNx薄膜.通过扫描电子显微镜、椭圆偏振仪等表征测量技术,研究了不同工艺参数对SiNx薄膜表面形貌、元素配比、折射率、沉积速度的... 利用自主研发的线性微波化学气相沉积系统在不同微波功率、微波占空比、基片温度、特气比例条件下制备了SiNx薄膜.通过扫描电子显微镜、椭圆偏振仪等表征测量技术,研究了不同工艺参数对SiNx薄膜表面形貌、元素配比、折射率、沉积速度的影响,并探讨了薄膜元素配比、折射率、沉积速度间的关系.结果表明:利用线性微波沉积技术,不同工艺参数下制备的SiNx薄膜组成元素分布均匀,同时具有平整的表面状态;特气比例和微波占空比是影响薄膜折射率的最主要因素,薄膜折射率在1.92—2.33之间连续可调;微波功率、微波占空比、沉积温度、特气比例都对SiNx薄膜沉积速度影响较大,制备的SiNx薄膜最大沉积速度为135 nm·min-1. 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 线性微波化学气相沉积 折射率 沉积速度
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化学气相沉积法制备智能窗用热致变色VO_(2)薄膜的研究进展
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作者 鲍可 李西军 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期233-258,共26页
热致变色智能窗是通过在玻璃上沉积温度刺激响应型材料,实现根据环境温度调控窗户玻璃的太阳光透过率,减少建筑物能耗的节能窗户。二氧化钒(VO_(2))是一种典型的热致相变材料,在~68℃发生金属-绝缘体相变,相变前后伴随光学性能的显著变... 热致变色智能窗是通过在玻璃上沉积温度刺激响应型材料,实现根据环境温度调控窗户玻璃的太阳光透过率,减少建筑物能耗的节能窗户。二氧化钒(VO_(2))是一种典型的热致相变材料,在~68℃发生金属-绝缘体相变,相变前后伴随光学性能的显著变化,在智能窗等多个领域有潜在的技术应用。然而,当前VO_(2)基热致变色智能窗的应用仍存在着相变温度(τc)偏高、可见光透过率(Tlum)低和太阳能调节效率(ΔTsol)不足等问题,无法满足实际建筑节能的需求。为了解决这些问题,研究人员开展了广泛而深入的工作。化学气相沉积法(Chemical vapor deposition,CVD)能够以合理的成本生产高质量、大面积的VO_(2)薄膜,受到研究者青睐。本文总结了近年来利用CVD技术制备VO_(2)薄膜的研究进展,系统介绍常压化学气相沉积、气溶胶辅助化学气相沉积、低压化学气相沉积、金属有机物化学气相沉积、原子层沉积和等离子体增强化学气相沉积等CVD工艺,分析了反应物种类及比例、反应温度、压力、载体流量等因素对VO_(2)薄膜质量的影响,并结合元素掺杂、纳米复合薄膜、多层膜结构等对VO_(2)薄膜的性能调控与优化进行总结,最后对未来等离子体增强化学气相沉积制备VO_(2)薄膜的研究前景做出展望。 展开更多
关键词 二氧化钒 热致变色 智能窗 化学沉积 薄膜 综述
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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:1
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作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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微波化学气相沉积制备氧化铝薄膜及钝化性能研究 被引量:3
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作者 张健 巴德纯 +1 位作者 刘坤 杜广煜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期529-533,共5页
AlO_x薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用最新研发的微波等离子增强化学气相沉积(MW-PECVD)系统,在单晶硅基体上用不同微波功率和生长温度制备氧化铝膜层样品,并通过扫描电镜、SE800椭偏仪和WT200... AlO_x薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用最新研发的微波等离子增强化学气相沉积(MW-PECVD)系统,在单晶硅基体上用不同微波功率和生长温度制备氧化铝膜层样品,并通过扫描电镜、SE800椭偏仪和WT2000少子寿命测量仪对薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉积速度、钝化性能进行分析。实验结果表明,LMW-PECVD制备的AlO_x薄膜沉积速度快且薄膜质量高,适用于大规模企业生产。此外,微波功率和生长温度都对AlO_x薄膜的钝化性能有着显著的影响。 展开更多
关键词 线性微波化学气相沉积 氧化铝薄膜 少子寿命 微波功率 温度
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化学气相沉积法制备二维过渡金属硫族化合物研究进展
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作者 王栋 魏子健 +5 位作者 张倩 夏月庆 张秀丽 王天汉 袁志华 兰明明 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第1期156-169,共14页
二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的... 二维过渡金属硫族化合物(TMDs)是继石墨烯之后的新型二维材料,由于其自身的独特物理化学性质在半导体、光电材料、能源储存和催化制氢等方面备受瞩目。化学气相沉积(CVD)是目前适合实现大规模制备二维材料的工艺之一,制备过程中参数的高度可控性使其具有很大优势。本文综述了近期通过CVD制备TMDs的研究进展,探讨了在CVD制备工艺中各种参数对产物生长和最终形貌的影响,包括前驱体、温度、衬底、辅助剂、压力和载气流量等。列举了一些改进的CVD制备工艺,并对其特点进行了总结。最后讨论了目前CVD制备TMDs所面临的挑战并对其发展前景进行展望。 展开更多
关键词 过渡金属硫族化合物 化学沉积 盐辅助化学沉积 金属有机化学沉积 二维材料 前驱体 影响因素
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术 被引量:1
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第2期86-88,共3页
(接2023年第1期88页)2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置... (接2023年第1期88页)2.1 PECVD技术原理与特征等离子激发的化学气相沉积借助于真空环境下气体辉光放电产生的低温等离子体,增强了反应物质的化学活性,促进了气体间的化学反应,从而在低温下也能在基片上形成新的固体膜。图1是PECVD装置示意图。 展开更多
关键词 反应物质 辉光放电 低温等离子体 化学活性 化学沉积 真空环境 化学反应 示意图
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等离子体增强化学气相沉积法制备类金刚石薄膜研究综述
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作者 马会中 路军涛 张兰 《科学技术与工程》 北大核心 2023年第18期7597-7606,共10页
类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金... 类金刚石薄膜由于其独特的物理化学特性,使得该薄膜在光学、电学、机械、医学、航空航天等领域得到了广泛应用。等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition,PECVD)制备类金刚石是近几十年兴起的新的制备类金刚石薄膜的方法,因其对沉积温度要求低,对基底友好,同时还具有沉积速率快和无转移生长的优势,获得了越来越多的研究者关注。详细介绍了类金刚石薄膜优异的特性,阐述了在等离子化学气相沉积条件下,不同沉积条件对沉积类金刚石薄膜结构特性的影响。衬底的选择直接影响着沉积类金刚石薄膜的性能,不同的衬底直接决定着生成类金刚石结构中sp^(3)相的数量和质量;沉积参数是最为常见的控制条件,对沉积薄膜的总体效果影响也是最大的,改变沉积参数,沉积薄膜的表面将会变得更加光滑致密;常用的掺杂元素是硅和氮,掺杂元素的引入往往是为了降低沉积薄膜的内应力,提高与衬底间的结合力,延长使用寿命等;由于很难直接在金属上沉积类金刚石薄膜,所以常通过制备复合层来改善沉积效果。最后对类金刚石薄膜的发展以及今后研究方向进行了展望。 展开更多
关键词 等离子体增强化学沉积(PECVD) 类金刚石薄膜 沉积条件 掺杂 复合层
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气相沉积技术制备氧化锰薄膜及其组分调控的研究进展
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作者 任家轩 方弘历 +3 位作者 杨斗豪 刘博文 王正铎 刘忠伟 《北京印刷学院学报》 2024年第3期67-72,共6页
本文介绍了利用气相沉积技术,包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等技术制备氧化锰薄膜以及组分调控的研究现状,重点介绍了等离子体辅助化学气相沉积/原子层沉积氧化锰薄膜的研究进展,对所使用的锰前驱体做了总结,并展望了氧... 本文介绍了利用气相沉积技术,包括物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积等技术制备氧化锰薄膜以及组分调控的研究现状,重点介绍了等离子体辅助化学气相沉积/原子层沉积氧化锰薄膜的研究进展,对所使用的锰前驱体做了总结,并展望了氧化锰薄膜的发展趋势。 展开更多
关键词 氧化锰薄膜 物理沉积 化学沉积 原子层沉积
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第1期86-88,共3页
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是在一定温度条件下,混合气体之间或混合气体与基材表面相互作用,并在基材表面上形成金属或化合物的薄膜镀层,使材料表面改性,以满足耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及特定的电学、光学和摩擦学等... 化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)是在一定温度条件下,混合气体之间或混合气体与基材表面相互作用,并在基材表面上形成金属或化合物的薄膜镀层,使材料表面改性,以满足耐磨、抗氧化、抗腐蚀以及特定的电学、光学和摩擦学等特殊性能要求的一种技术。 展开更多
关键词 化学沉积 基材表面 混合 材料表面改性 摩擦学 抗腐蚀 特殊性能
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第二十二讲 化学气相沉积(CVD)技术
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作者 张以忱 《真空》 CAS 2023年第3期86-88,共3页
(接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,... (接2023年第2期88页)(5)扩大了化学气相沉积的应用范围,特别是提供了在不同的基片制备各种金属膜、非晶态无机物膜、有机聚合膜有可能性。PECVD的缺点如下:(1)PECVD反应是非选择性的。在等离子体中,电子能量分布的范围宽,除电子碰撞外,其离子的碰撞和放电时产生的射线作用也可产生新的粒子。从这一点上看,等离子体增强CVD的反应未必是选择性的,有可能存在几种化学反应,致使反应产物难以控制。有些反应机理也难以解释清楚。所以采用等离子体增强CVD难以获得纯净的物质。 展开更多
关键词 电子碰撞 等离子体增强 化学沉积 电子能量分布 金属膜 聚合膜 反应产物 PECVD
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面向散热应用的碳化硅表面热丝化学气相沉积金刚石膜生长速率 被引量:1
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作者 李维汉 乔煜 +1 位作者 疏达 王新昶 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1078-1085,共8页
金刚石具有极高的导热系数,在热管理中具有广阔的应用前景.基于热丝化学气相沉积法,采用多次沉积工艺在碳化硅表面制备了金刚石厚膜.采用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对金刚石膜进行了表征,系统地研究了热丝功率、碳源浓度和反应压力等... 金刚石具有极高的导热系数,在热管理中具有广阔的应用前景.基于热丝化学气相沉积法,采用多次沉积工艺在碳化硅表面制备了金刚石厚膜.采用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对金刚石膜进行了表征,系统地研究了热丝功率、碳源浓度和反应压力等工艺参数对金刚石生长速率及质量的影响.研究结果表明,当热丝功率为1600 W、碳源浓度在形核阶段为18/300和生长阶段为14/300、反应压力为4 kPa时制备的金刚石膜质量最佳,此时金刚石膜生长速率约为1.4μm/h. 展开更多
关键词 热丝化学沉积 金刚石膜 生长速率 质量 散热
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化学气相沉积制备硬质合金刀具涂层研究进展 被引量:2
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作者 曾芳芳 邱联昌 +2 位作者 吴立颖 谢静 杜勇 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期1-26,70,共27页
化学气相沉积技术(CVD)广泛应用于硬质耐磨涂层的生产中,该类涂层可大大提高硬质合金工具的耐磨性和寿命。综述了CVD涂层技术在硬质合金切削刀具中的应用研究进展,首先介绍了CVD涂层技术的原理及其发展历程;其次阐述了模拟计算方法(相... 化学气相沉积技术(CVD)广泛应用于硬质耐磨涂层的生产中,该类涂层可大大提高硬质合金工具的耐磨性和寿命。综述了CVD涂层技术在硬质合金切削刀具中的应用研究进展,首先介绍了CVD涂层技术的原理及其发展历程;其次阐述了模拟计算方法(相图计算、流体力学计算、第一性原理计算、相场模拟、机器学习等)在CVD涂层中的应用;再次介绍了CVD涂层的沉积实验及结构和性能表征方法;最后列举了几种典型的硬质合金刀具用CVD涂层,以期为高性能涂层的智能设计、智能集成和智能研发提供新的思路:即把多尺度计算模拟、科学数据库和关键实验集成到硬质涂层开发的全过程中,通过对成分-工艺-结构-性能进行关联分析,将耐磨涂层的研发由传统经验或者半经验方式提升到科学的微结构智能设计上,以实现基体与涂层微结构调控和性能的协同优化,获得最佳的综合性能。 展开更多
关键词 化学沉积 硬质合金 智能设计 表征方法 多尺度计算模拟 典型CVD涂层
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化学气相沉积法制备硅碳复合负极材料的研究进展 被引量:1
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作者 付祥南 徐远健 +7 位作者 柴敬超 张玉敏 汪海平 郑云 解明 刘志宏 言搏 言伟雄 《江汉大学学报(自然科学版)》 2023年第4期5-16,共12页
目前,利用硅材料的高比容量和碳材料的稳定性制备硅碳复合负极材料是最有效的途径之一。在众多硅碳复合负极材料制备工艺中,因化学气相沉积法(CVD)制备的硅碳复合负极具有充放电效率高、循环稳定性好、对设备要求较低、适合工业化生产... 目前,利用硅材料的高比容量和碳材料的稳定性制备硅碳复合负极材料是最有效的途径之一。在众多硅碳复合负极材料制备工艺中,因化学气相沉积法(CVD)制备的硅碳复合负极具有充放电效率高、循环稳定性好、对设备要求较低、适合工业化生产等优势,受到了广泛关注。综述了CVD法制备硅碳复合负极材料的研究进展,从硅碳复合材料结构角度,如核壳结构、蛋黄壳结构、多孔结构和嵌入式结构,对不同结构类型的硅碳复合负极材料结构设计及电池性能等方面进行介绍,同时阐述了各自优势以及存在的问题。最后介绍了CVD法制备硅碳复合负极材料应用进展,并对硅碳复合负极材料产业化进行了展望。 展开更多
关键词 化学沉积 硅碳复合负极 锂离子电池
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微波等离子体辅助化学气相沉积法低温合成定向碳纳米管阵列 被引量:19
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作者 陈新 胡征 +4 位作者 王喜章 吴强 陈懿 杨绍光 都有为 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期731-733,共3页
Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter o... Well aligned nanotubes with diameter of 30—50 nm have been synthesized on a porous alumina template by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (MW PECVD). By this means, the control over either diameter or length of the nanotubes could be realized. The hollow structure and vertically aligned features have been verified by scanning electron and transmission electron microscopic images. In comparison with the reported fabrication methods, lower synthesis temperature (below 520 ℃) and simpler process (no negative dc bias applied) have been achieved, which could be of great importance for both theoretical research and pratical applications. 展开更多
关键词 碳纳米管阵列 微波等离子体 化学沉积 低温合成 孔性氧化铝模板
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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微波等离子体化学气相沉积法低温合成纳米碳管 被引量:12
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作者 王升高 汪建华 秦勇 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第5期957-960,共4页
纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米... 纳米碳管的低温合成是纳米碳管合成的一个重要研究方向 .在众多的合成方法中 ,化学气相沉积法 ,特别是等离子体化学气相沉积法在纳米碳管的低温合成方面意义重大 .本研究利用溶胶 -凝胶法结合等离子体还原 ,获得了负载在SiO2 上的纳米金属钴颗粒 .以甲烷为碳源、氢气为载气 ,在纳米金属钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在低于 5 0 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体 化学沉积 低温合成 结构表征
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