一种具有低线性调整率的带隙基准源电路设计

在传统带隙基准源电路的基础上,提出了一种具有低线性调整率的带隙基准源电路,使用预调制电路结构代替传统启动电路,并在核心电路中使用高增益两级放大器结构,以实现在较大范围电源电压下正常工作。同时,通过环路负反馈结构结合密勒补偿技术,进一步提高了电路的稳定性。电路采用标准0.5μm BCD工艺进行设计。仿真结果表明,在-55~125℃温度范围内,温漂系数为28.76ppm/℃,电源抑制比为-101.2 d B,在3~10 V电源电压范围内,输出电压的变化仅为58μV,线性调整率达到8.3μV/V,所设计的具有低线性调整率的带隙基准源电路适用于诸如同步降压型稳压器等对电源电压工作范围有较高要求的电路系统。

宽输入范围低线性调整率带隙基准的设计

文中提出了一款基于0.35μm BCD工艺的宽输入范围带隙基准。与传统带隙基准不同,所提出的带隙基准使用基准输出为运算放大器提供偏置,采用耐高压的LDMOS器件,设计实现了一款宽输入范围低线性调整率的带隙基准。利用Spectre对该电路进行了仿真验证。仿真结果表明:在4~35 V输入范围内,该基准的线性调整率仅为0.74μV/V,电源电压抑制比为-110 dB,温度系数为22.3μV/℃,静态电流为10.15μA。

基于Fisher线性判别率的加权K-means聚类算法

为提高K-means聚类效果,采用Fisher线性判别率的方法确定特征在聚类中的贡献度并依此对特征进行加权聚类。在人工和实际数据集上所做的实验表明,本方法在聚类效果上优于其他同类加权K-means聚类算法。

摆率增强的高瞬态响应无片外电容线性稳压器

针对无片外电容低压差线性稳压器瞬态响应差的问题,本文提出了一种摆率增强电路,该设计采用了动态密勒补偿技术,使得低压差线性稳压器有良好的环路稳定性。本文基于SilTerra公司的标准0.18μm的CMOS工艺,通过最终的仿真,该设计的低压差线性稳压器在负载电流20 mA~200μA的瞬态变化下过冲电压仅有80 mV,恢复时间0.5μs,线性调整率与负载调整率的最大值分别为0.036%、6.4%。降低了低压差线性稳压器输出的过冲电压以及恢复时间,实现了具有高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器。

一种低功耗无片外电容低压差线性稳压器设计

为降低LDO稳压器在芯片中的占用面积、减小待机状态下的电流消耗,设计一种低功耗、无片外电容的新型LDO。设计中采用动态电流偏置电路以及全新的电流负反馈型电压驱动电路,来提高LDO线性调整率。通过实验与其他设计方案对比,观察在一定输入电压、输出电压条件下,负载电流变化对最大上冲电压、下冲电压的影响。新设计LDO在空载条件下消耗的电流为3.13μA,在降低功耗同时提高了过充电压抑制能力,有着明显的产品优势,低功耗应用前景广阔。

自适应可调恒定导通时间Buck型直流电压变换器设计

为提高开关电源输出纹波电压、负载调整率、线性调整率和瞬态响应时间等性能指标,采用纹波控制的方法,研究出一款自适应可调恒定导通时间(adjustable-constant-on-time,ACOT)Buck型直流电压变换器。基于TSMC0.18μmCMOS工艺完成了电路设计,并用Cadence平台Spectre仿真器进行了仿真验证。结果表明:该电路的恒定导通时间可以精准灵活调节,纹波电压、线性调整率和瞬态响应时间均较低,与相关文献对比可知,本文设计在负载调整率上具有明显优势。

一种新颖的BiC MOS高精度LDO线性稳压电路

设计了一种改进结构的用于锂离子和锂聚合物电池充电管理芯片的高精度、宽电源电压范围LDO线性稳压电路,电路采用0.8μm N阱BiCMOS高压工艺制作。Hspice仿真结果表明,在温度从-20℃到100℃变化时,其温度系数约为±28 ppm/℃;电源电压从4.5 V到25 V变化时,最坏情况下其线性调整率为0.038 mV/V;负载电流从0到满载2 mA变化时,其负载调整率仅为1.28 mV/mA。

基于BiC MOS的高精度LDO线性稳压电路

设计了一种基于0．8μm。双阱BiCMOS高压工艺的高精度LDO线性稳压电路．电路采用四管单元带隙基准作温度补偿，多级误差放大反馈结构稳定输出电压，其中直接将带隙基准电路作为误差放大电路的一部分，从而在不增加电路复杂性的基础上，使整个误差放大电路经过多级放大，增益得到大幅提高．Hspice仿真结果表明：电路在较宽的频率范围内，电源抑制比约为85dB；在温度由-20～80℃变化时，其温度系数约为±35×10^-6／℃；电源电压在4．5～28V之间变化时，最坏情况下其线性调整率为0．031mV／V；负载电流由0mA到满载2mA变化时，其负载调整率仅为0．01mV／mA．

一种高电源抑制比快速启动的带隙基准的设计

文章采用5 V、0.35μm CMOS工艺,设计一种适用于低噪声高速系统的带隙基准电压源电路。为了保证电路具有较高的电源抑制比(power supply rejection ratio,PSRR),设计一种抑制电源电压波动的负反馈回路,并且在电路中采用具有较高增益的两级放大器结构。针对某些系统快速启动的需求,设计快速启动电路,当电源上电时启动电路直接作用于基准电压,加速带隙基准电路的启动,在电路正常启动后通过开关管使启动电路停止工作。仿真结果表明,温度在-40~125℃范围内,带隙基准的温漂系数为13.05×10^(-6)℃^(-1);低频时PSRR为100.6 dB;线性调整率(line regulation,LNR)为0.024 mV/V;启动时间为4μs。

一种BiCMOS低压差线性稳压器的设计

设计了一种低压差线性稳压器,对其结构原理进行了分析,并用0.6 μm BiCMOS工艺进行模拟验证.Hspice模拟结果表明在输出负载电流为150 mA,温度为25 ℃,输入电压为4.3 V时压差为120 mV,输出噪声74.2 μVRMS,静态电流只有15.43 μA,而待机工作模式静态电流小于0.04 μA.体现其具有低功耗、低噪声的优点,且该稳压器可工作在3.45～10 V电源电压范围,并有过温保护和限流保护功能.

一种双极型LDO线性稳压器的设计

介绍了一种基于双极型工艺的线性稳压器设计。该电路主要应用于便携式电子产品的电源系统，调整管采用超β横向PNP管，使其具有低压差、低静态电流、低线性调整率和低负载调整率的特点，同时含有使能开关、过温、过压和过流保护等功能。用hspice进行仿真，仿真结果表明，在（-55～125）℃的范围内，基准温漂可达到20×10^-6（ppm）／℃；在（5～26）V的电源电压中，电压线性调整率可达到±1％。

一种带隙基准源分段线性补偿的改进方法

为了减小带隙基准源的温度系数和提高温度补偿的灵活性,设计了一种改进型分段线性补偿方法。利用双极型晶体管的温度非线性在整个温度区域内产生7段不同斜率的补偿电流,通过电流模形式对基准电压的高阶温度分量进行叠加,进而对带隙基准电压实现精确温度补偿。基于0.25μm BCD工艺设计了一款低温漂高精度的带隙基准源。HSPICE仿真结果表明,在5 V电源电压下,在-40℃~125℃温度范围内,基准电压的温度系数为0.37×10-6/℃,低频时电路的电源抑制比为-85 dB。电源电压在2 V^5 V范围内,基准电压的线性调整率为0.09 mV/V。

7.5V高精度BiCMOS电压调整器的设计

提出一种应用于有源功率因数校正控制芯片的7．5V高精度线性电压调整器的设计。由于采用了多种改进措施，包括片上微调电阻网络的应用，该调整器具有良好的电压调整特性和很高的温度稳定性。此外，调整器还集成了过流保护功能。该电路采用1．5μm BiCMOS工艺设计实现，面积为0．42min×0．63mm。测试结果表明，在12V供电电压下，当负载电流在0～20mA范围内变化时，其负载调整率达23％／A。片上微调电阻的应用使其可获得很低的温度系数。

一种面向生物医疗传感的电压型CMOS带隙基准源电

基于生物医疗芯片中植入式神经刺激器的应用需求,提出了一种基于BCD工艺的电压型CMOS带隙基准源电路.针对植入式芯片供电电压变化大的特点,在传统widlar电流源结构基础上,引入了二级运放输出反馈,为运放本身、带隙核心电路以及测温前端提供了稳定的偏置电流,以提高基准电路的电源抑制比以及线性调整率.同时为了消除运放失调电压Vos对输出电压稳定性的影响,根据电阻阻值变化范围设计了电阻修调矩阵,降低了基准电压的温度系数.选用TSMC 0.18 um BCD工艺进行设计仿真,仿真、测试结果表明,该基准源可以在1.8 V-6 V电压下正常工作,电压线性调整率为0.023%;电源抑制比在10 Hz时为−78 dB,100 Hz时为−55 dB.在−40-125℃范围内,温漂系数为16.68 ppm.电路总功耗在5 V电压下为90uW,芯片核心电路面积为0.15×0.38 mm^(2).

一款高精度低功耗电压基准的设计与实现

设计了一款高输出电压情况下的高精度低功耗电压基准电路。电路采用了比例采样负反馈结构达到较高和可控的输出电压,并利用曲率补偿电路极大地减小了输出电压的温度系数。针对较宽输入电压范围内的超低线性调整率规格,给出了多级带隙级联的电路结构。针对功耗和超低负载调整率的问题,电路采用了基于运算放大器的限流模式和内置大尺寸横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管的设计。该电路在CSMC 0.25μm高压BCD工艺条件下进行设计、仿真和流片,测试结果表明,该电压基准输出电压为3.3 V,温度系数为19.4×10^(-6)/℃,线性调整率为5.6μV/V,负载调整率为23.3μV/V,工作电流为45μA。

一种低温漂的高精度带隙基准源的设计与分析

根据基准源产生的基本原理、特性,综合温度补偿及电阻分压技术,设计出了一款能广泛应用于开关电源PWM控制器、隔离反馈发生器等的带隙基准源。该基准源电路基于6μm标准BJT工艺实现,仿真结果表明,当电源电压为15 V时,当温度为25℃时,VREF输出为5 V;当12 V≤VCC≤25 V时,线性调整率为0.16 mV;当1 mA≤I0≤20 mA时,负载调整率为1.61 mV左右;温度稳定性良好,大约为0.05 mV/℃。

一种采用高阶温度补偿的带隙电压基准的设计

在DC-DC变换器芯片设计中，用于产生参考电压的带隙基准的精度直接影响到芯片的控制精度。文中设计了。一种高阶温度补偿的精确带隙电压基准，使用0．6μm BCD 2P2M工艺库，HSPICE仿真显示在-25℃～125℃范围，带隙基准电压为1．249V，温度系数可低达2．7ppm／℃，电压线性调整率为0．004％，电源抑制比PSRR达87dB。

一种无片外电容LDO的瞬态补偿电路设计

文章设计了一种用于电池供电设备中的全片上集成低压差稳压器(low-dropout regulator,LDO)芯片,其设计采用SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,为了保证电路具有好的静态性能,使用单级高增益折叠共源共栅放大器作为误差放大器,并设计了一个简单的比较补偿电路来改善LDO的瞬态性能。仿真结果表明:当负载电流在0.5μs内发生跳变时,其建立时间在2.0μs以内;线性调整率和负载调整率分别为0.0475 mV/V、0.00214 V/A;当电源电压范围为1.91~3.60 V时,输出电压稳定在1.80 V。

一种高性能电压前馈Buck变换器

设计了一种前馈电路,电路产生的前馈信号受温度的影响很小,与电源成比例关系。结合前馈控制和反馈控制各自的特点,实现了一种性能优异的Buck变换器。采用0.6μm 30 V BCD工艺模型进行仿真验证。结果表明,基于此前馈电路的Buck变换器,其线性调整率可达到0.375%/V。