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多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
1
作者
赵杰
张安康
+1 位作者
魏同立
孙勤生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第4期336-343,共8页
采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅...
采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Eb、电导率激活能Ea与多晶硅掺杂浓度Nc间关系。计算结果表明,多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。
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关键词
深能级瞬态谱
线性陷阱模型
晶粒间界
多晶硅
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职称材料
题名
多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
1
作者
赵杰
张安康
魏同立
孙勤生
机构
东南大学微电子中心
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第4期336-343,共8页
文摘
采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测试多晶硅n+p二极管势垒区深能级谱。利用DLTS实验结果,对G.Baccarina等提出的均匀陷阱模型进行修正,提出多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型。运用该修正模型,可采用迭代法求得多晶硅电学参数──势垒高度Eb、电导率激活能Ea与多晶硅掺杂浓度Nc间关系。计算结果表明,多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型具有理论合理性。
关键词
深能级瞬态谱
线性陷阱模型
晶粒间界
多晶硅
Keywords
Deep Level Transient Spectroscopy Linear Trapping ModelGrain-Boundary Barrier Height Activation Energy
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多晶硅晶粒间界的线性陷阱模型
赵杰
张安康
魏同立
孙勤生
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1996
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