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题名新型锗源环栅线隧穿晶体管结构设计及优化
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作者
糜昊
马鑫
苗渊浩
芦宾
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机构
山西师范大学物理与信息工程学院
中国科学院
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2022年第6期441-448,共8页
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基金
国家自然科学基金资助项目(62004119)
山西省应用基础研究计划资助项目(201901D211400)。
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文摘
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管(GAA-LTFET),并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析,通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制,消除了转移电流曲线上的驼峰现象,提高器件特性。此外,还针对源区掺杂浓度和沟道厚度等关键参数进行了分析和优化,最终器件平均亚阈值摆幅可达33.4 mV/dec,开态电流可达0.64μA/μm,开关比值约为9×10^(8),该器件的优异特性有望促进后摩尔时代超低功耗技术的发展。
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关键词
隧穿场效应晶体管(TFETs)
线隧穿
Ge/Si异质结
环栅
亚阈值摆幅
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Keywords
tunneling field-effect-transistor(TFETs)
line tunneling
Ge/Si heterojunction
gate-all-around
subthreshold swing
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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