HgCdTe组分不均性对X射线反射率的影响

本征反射率是X射线衍射摇摆曲线计算机模拟的基础。用X射线动力学理论研究了组分不均匀对HgCdTe材料X射线反射率的影响。研究结果表明,横向组分不均匀性直接影响摇摆曲线的峰形,峰值反射率和半峰全宽随组分不均匀的增大而分别减小和增大,且与组分不均匀性的均方差近似成指数关系,但其积分反射率却基本保持不变;采用多层模型对具有线性组分梯度的HgCdTe半导体材料反射率的计算结果则表明,纵向组分梯度除导致反射率峰值强度下降外,还会引起摇摆曲线产生单边干涉效应,摇摆曲线的半峰全宽和干涉峰间距随组分梯度的增加而增大,而干涉峰间距与干涉周期之间的关系则随组分梯度的增加其偏离线性的程度增大。

地幔底部异常区域的形成和存活的物化机理分析

解读地幔内部的横向不均匀结构中所反映出它的物理化学性质的变化信息是人们探究地幔精细构造的关键.依据地幔矿物物理学的理论和一些地球物理观测结果(δlnρ>0,δlnV>0,δlnVs<0,δT>0),估计了在太平洋中部以及非洲大陆下靠近地幔底部的异常区域内铁和硅的含量变化的比值范围.结果表明,在那些异常区域内铁和硅的含量同时增加,它可能与方镁铁矿在地幔底部温压条件下发生相分离相关.实验证实在那些条件下方镁铁矿(Mg,Fe)O能分解为一个较轻的富含镁相和一个较重的富含铁相,并且较轻的富含镁相可以随地幔上升流上浮,导致富含铁和硅的矿物集沉积在那些异常区域内.按照这个思路,所导致的铁和硅含量变化的比值是在基于地球物理观测结果所估计的铁和硅含量的变化比值范围内,而且可以判定,核幔边界处外核材料局部地进入地幔底部引起铁的含量进一步地增加也可能同时发生在异常区域内.另外,硅含量的增加能够导致粘性上升,因此,由于地幔材料不充分地搅拌使得化学组分分异区域能够在地质时间尺度上的存活成为可能.

鼓风式中餐灶混合室模拟分析

通过Fluent软件模拟某一鼓风式中餐灶混合室的流场分布,分析其在当前工况下的组分不均匀性,总结规律并改进混合室结构,模拟相应的流场分布,提出相对较好的改造方案。