期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
3
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延
被引量:
1
1
作者
刘红兵
王琦
+1 位作者
任晓敏
黄永清
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期893-896,共4页
采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延...
采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延样品进行双晶X射线衍射(DCXRD)测试,并比较1.2μm厚InP外延层(004)晶面ω扫描及ω-2θ扫描的半高全宽(FWHM),确定了InxGa1-xP组分渐变缓冲层的最佳生长温度为450℃、渐变时间为500s。由透射电子显微镜(TEM)测试可知,InxGa1-xP组分渐变缓冲层的生长厚度约为250nm。在最佳生长条件下的InP/GaAs外延层中插入生长厚度为48nm的In0.53Ga0.47As,并对所得样品进行了室温光致发光(PL)谱测试,测试结果表明,中心波长为1643nm,FWHM为60meV。
展开更多
关键词
InP/GaAs异质外延
低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)
InxGa1-xP
组分
渐变
缓冲
层
原文传递
用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器
被引量:
6
2
作者
潘青
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期79-82,共4页
介绍了2 .6 μm In0 .82 Ga0 .18 As/ In P P- N 异质结光电探测器,组分渐变层对调节 In P衬底与 In0 .82 Ga0 .18 As 之间的2 % 的晶格失配是有效的。在2 .1 μm ~2 .6 μ...
介绍了2 .6 μm In0 .82 Ga0 .18 As/ In P P- N 异质结光电探测器,组分渐变层对调节 In P衬底与 In0 .82 Ga0 .18 As 之间的2 % 的晶格失配是有效的。在2 .1 μm ~2 .6 μm 区域,量子效率为70 % ~75 % ;室温下约- 2 V 时, Id = 3 .5 μ A。
展开更多
关键词
光电探测器
InGaAs材料
晶格失配
组分渐变层
下载PDF
职称材料
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究
被引量:
2
3
作者
叶显
黄辉
+4 位作者
任晓敏
郭经纬
黄永清
王琦
张霞
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期421-426,共6页
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长...
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
展开更多
关键词
纳米线异质结构
INXGA1-XAS
组分
渐变
缓冲
层
金属有机化学气相沉淀法
原文传递
题名
基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延
被引量:
1
1
作者
刘红兵
王琦
任晓敏
黄永清
机构
北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室
东华理工大学核工程技术学院
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第7期893-896,共4页
基金
国家"863"计划资助项目(2006AA03Z416
2007AA03Z418)
+2 种基金
教育部"新世纪人才支持计划"资助项目(NCET-05-0111)
高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005)
教育部"长江学者和创新团队发展计划"资助项目(IRT0609)
文摘
采用低温GaAs与低温组分渐变InxGa1-xP作为缓冲层,利用低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)技术,在GaAs(001)衬底上进行了InP/GaAs异质外延实验。实验中,InxGa1-xP缓冲层选用组分线性渐变生长模式(xIn0.49→1)。通过对InP/GaAs异质外延样品进行双晶X射线衍射(DCXRD)测试,并比较1.2μm厚InP外延层(004)晶面ω扫描及ω-2θ扫描的半高全宽(FWHM),确定了InxGa1-xP组分渐变缓冲层的最佳生长温度为450℃、渐变时间为500s。由透射电子显微镜(TEM)测试可知,InxGa1-xP组分渐变缓冲层的生长厚度约为250nm。在最佳生长条件下的InP/GaAs外延层中插入生长厚度为48nm的In0.53Ga0.47As,并对所得样品进行了室温光致发光(PL)谱测试,测试结果表明,中心波长为1643nm,FWHM为60meV。
关键词
InP/GaAs异质外延
低压金属有机化学气相外延(LP-MOCVD)
InxGa1-xP
组分
渐变
缓冲
层
Keywords
InP/GaAs heteroepitaxy
low pressure MOCVD(LP-MOCVD)
InxGa1-xP
graded buffer
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器
被引量:
6
2
作者
潘青
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期79-82,共4页
文摘
介绍了2 .6 μm In0 .82 Ga0 .18 As/ In P P- N 异质结光电探测器,组分渐变层对调节 In P衬底与 In0 .82 Ga0 .18 As 之间的2 % 的晶格失配是有效的。在2 .1 μm ~2 .6 μm 区域,量子效率为70 % ~75 % ;室温下约- 2 V 时, Id = 3 .5 μ A。
关键词
光电探测器
InGaAs材料
晶格失配
组分渐变层
Keywords
Photodetectors,InGaAs Materials Lattice Mismatch,Compositionally Graded Layer
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究
被引量:
2
3
作者
叶显
黄辉
任晓敏
郭经纬
黄永清
王琦
张霞
机构
北京邮电大学
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期421-426,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327600)
“111”计划项目(批准号:B07005)
+1 种基金
国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03Z405,2009AA03Z417)
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:BUPT2009RC0409,BUPT2009RC0410)资助的课题~~
文摘
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有InxGa1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/InxGa1-xAs/GaAs三段式纳米线异质结构在轴向上串接生长而形成双异质结构.通过插入三元化合物InxGa1-xAs渐变缓冲段可以有效的克服界面能差异和晶格失配带来的负面影响,提高纳米线的晶体质量和生长可控性.
关键词
纳米线异质结构
INXGA1-XAS
组分
渐变
缓冲
层
金属有机化学气相沉淀法
Keywords
nanowire heterostructure
InxGa1-xAs
buffer segment
metal organic chemical vapor deposition
分类号
TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于低温In_xGa_(1-x)P组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延
刘红兵
王琦
任晓敏
黄永清
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
原文传递
2
用InGaAs材料制作的2.6μm光电探测器
潘青
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1999
6
下载PDF
职称材料
3
InAs/GaAs和InAs/InxGa1-xAs/GaAs纳米线异质结构的生长研究
叶显
黄辉
任晓敏
郭经纬
黄永清
王琦
张霞
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
2
原文传递
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部