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脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究
被引量:
5
1
作者
陈学锋
李华梅
+2 位作者
李东杰
曹菲
董显林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期7298-7304,共7页
采用低锆区的Pb(Zr0.42Sn0.40Ti0.18)O3(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基,通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr,Sn,Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷,其最大极化强度Pmax≈20.66μC/cm2,剩余极化强度Pr≈0.55μC/cm2...
采用低锆区的Pb(Zr0.42Sn0.40Ti0.18)O3(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基,通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr,Sn,Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷,其最大极化强度Pmax≈20.66μC/cm2,剩余极化强度Pr≈0.55μC/cm2,电滞回线包含面积S≈0.0298 J/cm3,室温下相对介电常数虽然只有2840,但储能密度却达0.319 J/cm3.反复充放电脉冲试验初步显示:单片掺杂PZST42/40/18铁电陶瓷样品的短路放电电流可达2330A,反复充放电次数在1000次以上;释放的电荷随着充放电次数的增加按照二次指数公式衰减.这对掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷用作脉冲电容器具有重要意义.
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关键词
细电滞回线
铁
电
陶瓷
PZST
脉冲
电
容器
原文传递
题名
脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究
被引量:
5
1
作者
陈学锋
李华梅
李东杰
曹菲
董显林
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
中国工程物理研究院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第11期7298-7304,共7页
文摘
采用低锆区的Pb(Zr0.42Sn0.40Ti0.18)O3(PZST42/40/18)铁电陶瓷为基,通过少量La和Ba取代Pb同时Nb取代(Zr,Sn,Ti)复合取代的方法得到掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷,其最大极化强度Pmax≈20.66μC/cm2,剩余极化强度Pr≈0.55μC/cm2,电滞回线包含面积S≈0.0298 J/cm3,室温下相对介电常数虽然只有2840,但储能密度却达0.319 J/cm3.反复充放电脉冲试验初步显示:单片掺杂PZST42/40/18铁电陶瓷样品的短路放电电流可达2330A,反复充放电次数在1000次以上;释放的电荷随着充放电次数的增加按照二次指数公式衰减.这对掺杂PZST42/40/18细电滞回线铁电陶瓷用作脉冲电容器具有重要意义.
关键词
细电滞回线
铁
电
陶瓷
PZST
脉冲
电
容器
Keywords
slim-loop hysteresis, ferroelectric ceramics, PZST, pulse capacitors
分类号
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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被引量
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1
脉冲电容器用细电滞回线铁电陶瓷材料的研究
陈学锋
李华梅
李东杰
曹菲
董显林
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
5
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