菌斑固相消耗糖后缓冲容量的变化与龋易感性的关系

目的研究牙菌斑固相代谢糖后缓冲容量的变化与龋易感性的关系。方法选择成年高龋者（DMFS≥10，DS≥5）及无龋者（DMFS=0）各10名，分别取4种糖消耗情形下的牙菌斑，即基线菌斑、一次漱糖后即刻菌斑、持续耗糖菌斑和漱糖后恢复期菌斑。样本经离心干燥获得菌斑固相成分，以25mmol／LKCl制备10mg／ml的混悬液。用0.1mmol／LHCl滴定以测定初始pH至pH4的缓冲总量和pH5.2-4区段的缓冲容量，同时对各组进行细菌计数。结果消耗糖后菌斑固相的缓冲总量均比基线值（208.793±73.338μmolH^＋／g）低，在pH5.2-4区段，一次耗糖即刻和漱糖前的缓冲容量相同，分别为112．243±28．124μmolH^＋／g和124．773±27．886μmolH^＋／g，持续耗糖后下降至93．358±18．356μmolH^＋／g。恢复期菌斑固相的缓冲容量（144．905±36．857μmolH^＋／g）显著上升。不同龋易感个体缓冲容量间的差异并无显著性。结论糖消耗过程影响菌斑固相的缓冲力，缓冲容量可能不是一个指示龋易感性的敏感指标。