CMP抛光液和终点检测技术研究

随着集成电路器件集成度的提高,晶圆尺寸和表面布线层数不断增加,特征尺寸不断减小,对晶圆表面的平整度提出了更高要求。作为唯一可以实现全局平坦化的方法,化学机械抛光(Chemical-Mechanical Polishing,CMP)成为晶圆制造过程的重要工艺。在各部件和化学品的协同作用下,化学机械抛光质量受到多个因素影响,介绍了抛光液和抛光终点检测(Endpoint detection,EPD)技术的研究新进展,着重阐述了抛光液在磨粒、化学添加剂和绿色环保方面的国内外研究方向,以及终点检测方法的几种新思路,展望了化学机械抛光技术的开发方向。

CMP综合终点检测研究

在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的基础上,对终点检测硬件电路的设计效果进行了验证。采用STRASBAUGH的Nvision软件进行移植,设置其增益、漂移量、数字过滤器的频率和类型。以W作为抛光对象,以TiN作为阻挡层,优化了工艺参数菜单设置并实施抛光,在实时形成信号曲线的基础上,由主机综合三种终点检测信号的情况,判断出精准的终点位置,为CMP抛光终点的监测和抛光垫的修整和更换提供科学的依据。

红外光学终点检测的研究

终点检测是化学机械平坦化的关键技术,它决定着理想的平坦运行的停止点,在以纳米级别的控制上,终点检测尤为重要。目前主要的两种终点检测方法:电机电流存在着误判断,而可见光干涉存在着光蚀效应等。低能量的红外检测根据不同介质及同种介质不同厚度的红外吸收和反射系数不同的原理精确地选择平坦化终点完全克服以上检测手段的不足。阐述了其原理,设计了其硬件原理图,定性分析了红外测量曲线,并指出今后终点检测的方向。

单点光学终点检测系统的研究

为了使CMP抛光精度更为精确,根据光学干涉原理设计了单点光学终点检测装置,给出了整套检测系统的简图和处理流程。在理想条件下,仿真单点光学检测的相干相位及反射率迹线,得出反射率迹线与抛光掉的透明层存在着函数关系,在实际条件核实了二者之间映射情况。采用九点测量后确认此函数条件下的单点光学终点检测具备高度的精确性,在此基础上推测了抛光头吸附晶圆以设定频率摆动情况下,光学传感器采集与处理数据的方法和过程。实际工艺操作证明,在综合运动条件下,其精度也达到要求。

基于过程分析技术和设计空间的金银花醇沉加醇过程终点检测

建立了一种新的基于过程分析技术(PAT)和质量源于设计(QbD)设计空间的中药制药过程终点分析与控制方法.以近红外(NIR)光谱技术为PAT工具,采集正常操作条件下制药过程的多批次NIR光谱;采用主成分分析结合移动块相对标准偏差(PCA-MBRSD)法,确定每一批次过程的理想终点样本(DEPs),由多批DEPs的光谱信息构成过程终点设计空间;在过程终点设计空间确定的范围内,建立多变量统计过程控制(MSPC)模型,利用多变量Hotelling T2和SPE控制图对过程终点进行判断.应用上述方法,进行了金银花醇沉加醇过程终点检测研究,结果表明该方法灵敏、准确,适宜于中药制药过程终点检测.

大直径硅晶片化学机械抛光及其终点检测技术的研究与应用

化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键。若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题。

小弯曲角焊缝跟踪及焊缝终点检测

为了实现小弯曲角焊缝的跟踪及焊缝终点的检测,针对焊接电流中噪声的种类,使焊接电流经过空间中值滤波、均值滤波、阈值处理和线性滤波,去除了大部分的噪声.用直线将2类模式平均向量对应的点连接起来,把直线的斜率作为偏差.以最近三次偏差作为多个模式类感知机的输入,以水平滑块伸出或缩进的速率作为输出,实现小弯曲角焊缝的跟踪.如果连续三次偏差的值大于1,则表明到达了焊缝终点.最后进行了小弯曲角焊缝的跟踪试验,角焊缝终点的检测试验,过水孔的试验.结果表明,该算法提高了机器人跟踪小弯曲角焊缝的精确度,实现了角焊缝终点的准确识别和过水孔的通过,有利于焊接自动化的实现.

基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的 OES 终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论 IEP 终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了 IEP 终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP 预报式终点检测技术已经运用在新近研发的 HDP 刻蚀机的试验工艺上,最后对 IEP 终点检测技术未来的发展趋势进行了展望.

化学机械抛光终点检测技术研究

化学机械抛光是晶圆全局平坦化的核心技术,其中有效的终点检测是影响抛光效果的关键。若不能有效地监测抛光过程,便无法避免晶圆抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP原理与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的多种应用方法及其优缺点。

硅片CMP终点检测技术现状与发展趋势

化学机械抛光是硅片表面全面平坦化的核心技术之一,其中准确有效的终点检测是影响抛光效果的重要关键。若未能有效地监测抛光工艺过程,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷。本文在介绍CMP机制的基础上,着重阐述了当前几种CMP终点检测技术的原理及优缺点,最后讨论了CMP终点检测技术的发展趋势。

CMP在线光学终点检测算法研究及应用

介绍了化学机械抛光(CMP)中表面膜层为金属和非金属晶圆的在线终点检测原理。研究了窗口检测算法,实时检测光强变化趋势,抓取趋势特征点,从控制抛光过程,实现CMP在线终点检测。实验结果表明,检测算法可达到预期的检测精度,能够满足生产实际需要。

高密度等离子体刻蚀机中的终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤。目前已经开发出许多终点检测技术。文章讨论了终点检测技术的原理,综述了目前主流刻蚀机使用的两种终点检测技术—OES和IEP—的最新进展,讨论了终点检测技术在深亚微米等离子体刻蚀工艺中的应用,以及所面临的挑战。

角焊缝旋转电弧信号去噪与终点检测

通过试验对比分析,发现由小波系数中的近似系数直接重构原信号的算法能更好地对旋转电弧信号去噪。用组合滤波法对角焊缝和平板堆焊旋转电弧信号进行了去噪试验,在Matlab上仿真,得到了很好的波形。根据旋转电弧信号波形中极大值与极小值之间的差值,准确检测到角焊缝的终点,通过差值波形发现焊枪偏差也能影响差值。

基于霍尔效应的小空间液位终点检测系统

本文介绍了一种基于AT89C4051单片机和霍尔效应的液位检测仪的系统设计。选用了霍尔器件组作为敏感元件,采用浮子转换机构跟踪液位,将检测到的数字量转换为脉冲形式,根据脉冲频率的不同得到所对应的液位大小。该系统能够实现液位测量、超限报警、声光显示等功能,并具有防爆的优点。

一种基于光学干涉原理的CMP在线终点检测装置

化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产生抛光过度或抛光不足的缺陷。基于光学干涉薄膜测厚原理,给出了一种CMP在线终点检测装置。

养殖鱼类农药等毒物终点检测技术应用研究

谷胱甘肽S-转移酶(glutathione S-transferase,GSTs)是代谢多种内源或外源毒性物质之解毒酶系统的重要组成部分。农药等毒物终点检测技术(end point test)是基于不同毒物最终均将导致鱼体肝脏去毒酶GSTs基因表达变化,通过固定方法检测GSTs基因表达水平这一个指标即可反映生物体受不同毒物的污染情况。通过采用该检测技术可以简便而可靠检测淡水鱼类体内所含的毒物含量,进而确定了淡水养殖鱼类的食用安全问题。

化学机械研磨终点检测专利技术综述

化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP)技术是目前集成电路制造中制备多层铜互连结构不可或缺的关键技术之一。在应用CMP技术去除多余材料时,能准确判断CMP过程中何时达到理想临界状态的终点检测技术,是保证既不"欠抛"又不"过抛",提高CMP加工质量和效率的一项关键技术。本文较为全面地介绍了终点检测技术的专利申请情况,详细介绍了各种检测手段的原理并列举了典型的专利文献。

VLSI干蚀刻终点检测技术简介

在蚀刻时会形成等离子体的蚀刻气体,他会蚀刻未受保护的区域。一旦检测到这一区域被刻蚀完成时,蚀刻反应马上被停止。这种停止刻蚀反应的检测手段被称为终点检测(endpoint)。

连铸钢液全封闭浇注终点检测系统

1.前言为了解决特殊钢钢液在无氧化全封闭浇注时,浇注终点无法确定的困难,我厂与浙江大学共同开展了“特殊钢连铸钢包浇注终点控制系统”的研制工作。以往的全封闭浇注。