-
题名横向功率器件及其结终端保护技术
- 1
-
-
作者
唐本奇
高玉民
罗晋生
-
机构
西安交通大学
-
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1997年第3期94-96,共3页
-
基金
国家自然科学基金
-
文摘
横向功率器件及其结终端保护技术LateralPowerDevicesandTheirJunctionTerminationTechniques西安交通大学唐本奇高玉民罗晋生(西安710049)1前言横向功率器件及其结终端保护技术的发展,并不完全等同...
-
关键词
功率晶体管
横向功率器件
结终端保护技术
-
分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
TN386
[电子电信—物理电子学]
-
-
题名高压功率FRED结终端保护技术及其组合优化设计
- 2
-
-
作者
殷丽
王传敏
-
机构
北京时代民芯科技有限公司
北京微电子技术研究所
-
出处
《电力电子》
2010年第2期51-55,共5页
-
文摘
场板与场限环是用来提高功率FRED抗电压击穿能力的常用终端保护技术,本文分别介绍场板与场限环结终端结构原理和耐压敏感参数,然后采取场板和场限环的互补组合,通过Synopsis公司MEDICI4.0仿真工具优化设一款耐压1200V的FERD器件终端结构,最后通过实际流片验证此终端结构具有良好的电压重复性及一致性。
-
关键词
FRED
结终端保护技术
场板
场限环
-
Keywords
FRED Junction termination technique Field plate Field limiting ring
-
分类号
TN912.34
[电子电信—通信与信息系统]
-
-
题名高压功率VDMOS管的设计研制
被引量:17
- 3
-
-
作者
王英
何杞鑫
方绍华
-
机构
浙江大学信电系
-
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第1期5-8,共4页
-
文摘
随着功率电子器件进一步向高压、高频、大电流方向发展,VDMOS晶体管的市场将会越来越广阔。通过综合各种模型,优化外延层厚度和掺杂浓度,设计了高压VDMOS器件的元胞图形以及器件尺寸,并在终端利用新的思路,从而提高了漏源击穿电压,基于理论分析在工艺上成功实现了耐压为500V,导通电流为3A的功率VDMOS器件。
-
关键词
VDMOS
优化外延层
终端保护技术
-
Keywords
VDMOS
optimized epitaxial layer
edge guarding ring
-
分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
-
-
题名大尹格庄金矿井下电机车无人驾驶系统开发与应用
被引量:5
- 4
-
-
作者
王启健
于涛
-
机构
招金矿业股份有限公司大尹格庄金矿
-
出处
《黄金》
CAS
2022年第1期64-68,77,共6页
-
基金
山东省重点研发计划项目(2016CYJS06A01)。
-
文摘
大尹格庄金矿已进入深部开采阶段,矿石提升、运输问题突出。以大尹格庄金矿-290 m中段无人驾驶电机车为研究载体,从车载系统可靠性保障、电机车运行及安全监测、自主装卸及轨道终端保护3方面进行电机车无人驾驶关键技术研究,建成了功能完备的井下电机车无人驾驶系统。应用该系统后,电机车运行状态可远程实时显示,地表操作台可进行远程监控,同时系统具备诊断功能,可进行应急处理,使矿石运输时间缩减21.95%,运输效率提高23.07%,工作人员缩减75%,具有借鉴推广意义。
-
关键词
无人驾驶技术
精确定位
雷达预警
姿态监测
自主装卸
轨道终端保护技术
-
Keywords
driverless technology
precise location
radar warning
posture monitoring
self-loading and unloading
track terminal protection technology
-
分类号
TD67
[矿业工程—矿山机电]
-