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利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造 被引量：3
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作者 孙嘉兴 宁润涛 +2 位作者 胡子阳 张俊松 赵庆哲 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 2006年第1期42-45,共4页
通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来,将模拟结果直接导入器件模拟软件M ed ic i,对击穿电压及阈值电压,终端保护环进行了模拟计算,获得了具体的设计参数,并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述.
关键词 虚拟制造 工艺参数 终端保护环
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