半导体器件结到壳热阻测试研究

到壳热阻是衡量半导体器件热性能的重要参数。详细介绍了将半导体器件外壳表面与外部热沉相接触时,从半导体的热耗散结到封装外壳表面的一维热传导路径下,用瞬态双界面法进行结到壳热阻Rth(J-C)测量的方法。阐述了双界面测试法中存在的若干现象与问题,分析了该方法中加热功率、被测件外壳温度控制以及施加加热功率的时间长短对测试结果产生影响的原因,并针对各个问题和影响因素提出了相应的解决办法及合理建议,以获得更为准确且更具有应用性和指导性的热阻测试结果。