结型场效应晶体管放大器的噪声

本文通过分析结型场效应管(JFET)放大器内部不同的噪声源,首次导出了场效应管放大器在较宽频率范围内的等效输入噪声电压表达式,估算了当信号源阻抗为容性时JFET放大器的总噪声,为场效应管电路低噪声优化设计提供有力的工具。

一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器

基于40 V高压互补双极性结型晶体管(BJT)兼容结型场效应晶体管(JFET)工艺,设计了一种高压精密低输入偏置电流JFET型放大器,介绍了放大器总体架构以及工作原理。电路内部采用JFET输入器件降低输入偏置电流,提高带宽,用修调电阻降低输入失调电压;采用四核跨导结构优化中间级提高运放的压摆率;输出级采用互补推挽输出结构防止交越失真,同时提高功率驱动能力;偏置电路利用JFET作恒流源,保证在不同工作电压下稳定供电。芯片流片测试结果表明,该放大器在±5~±13 V工作电压条件下,输入失调电压≤80μV;输入偏置电流≤1.5 pA;开环增益≥107 dB;增益带宽积≥25 MHz;压摆率≥50 V/μs。