用结恢复电流研究a-Si:H p^+-i-n^+结构的缺陷

本文采用多次陷落模型,用结恢复电流技术研究了a—Si:H太阳电池长时间光照后的光致变化效应。发现光照之后的太阳电池比光照前空穴迁移率和寿命的乘积有明显下降,而且光致亚稳缺陷主要起复合中心的作用。