微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文)

本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。

氢化非晶硅结晶膜的微结构研究

本文利用连续波Ar^+激光和卤钨灯光对等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)淀积的未掺杂和掺磷的α-Si:H膜进行结晶。对于Ar^+激光辐照结晶情况由转靶X射线衍射分析和透射电子显微镜(TEM)分析表明,上述两种薄膜无明显差异,均呈现<111>择优取向,平均晶粒尺寸约数十微米。对于灯光结晶情况,在700℃/4min条件下,也均呈现<111>择优取向,但掺磷样品的结晶程度更强一些,X射线衍射峰更尖锐,相应的平均晶粒尺寸较大,达亚微米量级。

皮蛋保护新技术——醌式没食子酸钙结晶膜

我国用传统工艺制作的皮蛋,尤其是益阳松花皮蛋在海内外都享有很高声誉,但由于其保护层包泥易脱落、易起霉,不卫生,且保存期短(短的不到1个月),因而难以进入西方市场。如果能改进皮蛋保护层。

膜调控的头孢呋辛钠溶析-冷却耦合结晶成核介稳区测定及分析

溶析-冷却耦合结晶可以提高结晶产率的同时,降低溶析剂的消耗量,是一种高效的耦合分离过程。传统的溶析结晶传质的界面往往受到宏观混合规模的限制,传质调控通常为亚毫米级,容易爆发成核,导致结晶产品的纯度差、平均粒度小、晶体粒度分布宽,因而需要更精确的调节策略。本文提出了一种新型的膜辅助溶析-冷却耦合结晶的方法,应用于头孢呋辛钠的结晶过程研究。其中,聚四氟乙烯(PTFE)中空纤维膜作为精确添加溶析剂和高效混合的界面,实现过饱和度的均匀分布。为了对比膜辅助溶析-冷却耦合结晶和传统耦合结晶方式的调控效果,对膜辅助溶析-冷却耦合结晶过程进行更为精确的调控,分别测量了传统和膜辅助条件下溶析-冷却耦合结晶的头孢呋辛钠-水-乙醇体系的介稳区宽度,计算了成核动力学参数。使用响应面方法和理论模型分析了冷却速率、溶析剂添加速率和溶析剂组分对介稳区宽度的影响,并比较了传统结晶和膜辅助结晶的介稳区特征。结果表明,膜辅助溶析-冷却耦合结晶的成核级数和成核速率常数(n=2.07,kn=158.15)均小于常规耦合结晶(n=2.45,kn=493.22),成核动力学方面更加温和,可调控性更强。

真空膜渗透结晶处理高盐废水研究

用真空膜渗透结晶工艺对高盐废水进行处理,对比了操作温度、进水流量、进水温度和膜使用次数对高盐废水除盐率的影响。实验结果显示,当操作温度为75~80℃、进水流量为65L·h^(-1)、进水温度为39℃时,高盐废水除盐效果最好,除盐率可达97%以上,且膜重复使用10次以内对高盐废水除盐率基本没有影响,为其在处理高盐废水上的应用进一步实现工业化过程提供了基础理论支持。

双降膜结晶器的结构与应用探究

双降膜结晶器作为一种重要的分离设备,广泛应用于熔融结晶过程中的物料纯化。它具有高效、节能、操作简便等优点,被业界认为是一种非常可靠和经济的装置。介绍了双降膜结晶器的工作原理,并重点探讨了结晶管、膨胀管、布膜器、晶体支承板、内置加热器等关键组件的功能与作用。此外,通过实际应用案例展示了双降膜结晶器在化工、食品和环保等领域的成功应用。

基于膜分离的HMX绿色结晶制备与表征

针对常规炸药结晶方法(蒸发、溶析及降温等)过饱和度均一性调控难、溶剂回收率低等问题,设计了基于压力驱动、错流过滤的有机溶剂纳滤(OSN)膜结晶装置,并用于奥克托今(HMX)的膜结晶工艺研究。探讨了关键工艺参量(温度、压力)对其结晶形态和粒度的影响,与蒸发结晶进行了晶体形貌、结构的对比。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线粉末衍射仪(XRD)、热重⁃差示扫描量热仪(TG⁃DSC)等方法表征了2种方法重结晶后的HMX晶体。进一步考察了纳滤膜的长期操作稳定性,并将渗透回收的溶剂进行了再次膜结晶。结果表明,通过对温度与压力的优化控制,膜结晶工艺能够获得粒度分布窄(变异系数<46%)、晶体密度高(ρavg=1.8997~1.9004 g·cm^(-3))及热稳定性优异的β⁃HMX。相较蒸发结晶,膜结晶过程中的过饱和度调控更易操作,制备的晶体形态更加均一;纳滤膜多次重复使用后,对溶剂中HMX分子的截留率仍能保持在92%以上,表现出良好的渗透选择稳定性;采用渗透回收的溶剂进行膜结晶仍能获得中值直径为34.92μm、变异系数为37.22%的β型HMX晶体,表明该技术能够实现对结晶溶剂的高效回收再利用。

准分子激光诱导结晶硅膜的Raman光谱分析

采用 Xe Cl准分子激光器对 PECVD法生长的非晶硅膜进行了诱导晶化处理 .对结晶膜的晶体质量进行了 Raman光谱表征 .研究表明 ,对于非扫描模式 ,晶化前去氢处理可使结晶膜具有更高的结晶度 ,即氢的存在阻碍非晶硅的晶化 .玻璃衬底与非晶硅膜之间的非晶氮化硅膜对非晶硅膜的晶化没有明显影响 .在 1 50～ 450 m J/cm2 ,结晶膜的结晶度随能量密度的增大而提高 .

膜结晶技术研究进展及应用前景

对一种新的分离技术———膜结晶进行了综述 .介绍了膜结晶技术的产生、原理和优点 ,以及膜结晶的过程及膜结晶器的类型 .概述了膜结晶在国内外的发展和应用状况 ,重点介绍了膜结晶在盐溶液结晶和生物高分子溶液结晶两个方面的研究与应用 。

用降膜结晶法分离人造麝香的研究

用降膜结晶技术提纯人造麝香 ,考察了物料循环时间、油浴温度和料液的过热度对结晶过程的影响 ,分析了发汗温度和发汗升温速率与结晶过程中分配系数及结晶率的关系。综合考察产品质量及生产效率 ,得到用降膜结晶提纯麝香DDHI的适宜的生产条件。在适宜条件下 ,对DDHI的质量分数为 75 %左右的原料进行三级结晶 ,每级母液及发汗液循环回上一级使用 ,最后所得产品质量分数大于 98% ,结晶率达到 5

用精馏-降膜结晶耦合技术提纯对二氯苯

用精馏-降膜结晶耦合工艺分离对二氯苯。考察了降膜结晶操作中冷却剂温度、发汗升温速率对产品的影响,结果表明,冷却剂的温度为38℃,发汗速率为0. 5℃/min,可使w(对二氯苯)≥99 7%,单程收率>58%。与使用精馏工艺相比,总能耗下降71 7%。

降膜结晶过程传热传质简化积分模型模拟计算

本文在对降膜结晶分离过程进行传热传质分析的基础上，建立了简化数学模型。文中按时间先后次序分成若干时间流股，并对每一流股按随体坐标自上而下对传热和传质方程进方积分，其中利用稳态充分发展的传热传质公式计算局部、即时的结晶量，进一步将不同时间流股所得结晶量叠加即得到结晶在空间和时间上的分布。文中将计算结果与所作的实验结果进行了比较，二者吻合较好。最后利用本文的计算模型进一步对广泛的影响因素进行了研究，获得一系列有益的结果。

日落黄在聚结晶紫膜修饰电极上的电化学行为及其测定

用电化学方法制备了聚结晶紫膜修饰玻碳电极，研究了日落黄在此修饰电极上的电化学行为，建立了测定日落黄的电化学分析新方法。结果表明：聚结晶紫膜修饰电极能催化日落黄的电化学反应。日落黄在聚结晶紫修饰电极上的氧化峰电流与其浓度在8．0×1082．0×1015moL／L范围内呈良好线性关系，检出限为2．0×10^-8mo／／L。该方法用于实际样品分析，结果满意。

膜结晶技术的发展及其在蛋白质结晶中的应用

膜结晶技术作为一种新兴的分离净化技术近几年得到了较快发展。阐述了膜结晶技术的产生背景、膜结晶器的类型、膜结晶技术的基本过程、原理及其优点,介绍了膜结晶蛋白质的优点及膜结晶技术在蛋白质结晶中的应用情况,最后展望了膜结晶技术的发展前景。

降膜结晶分离技术实验研究

采用萘－硫茚物系对新型高效降膜结晶技术的分离提纯机制进行了实验研究．考察了管外降膜结晶过程中结晶时间、料液流量、冷却水初始进口温度、冷却水降温速率及原料浓度对分离提纯效果的影响．实验发现降膜结晶过程中晶层生长并不完全是光滑界面的生长，而在某些条件下表现为粗糙界面的生长，即生长过程在某些条件下表现为两相区界面的生长．进一步对辅助提纯－发汗过程的工艺参数—发汗时间、发汗初始浓度的影响进行了实验研究．实验结果可用于降膜结晶传热传质机理的数值模拟．

膜结晶技术的研究进展

综述了膜结晶技术的发展现状、过程原理及其应用领域,展望了未来膜结晶技术的发展前景,结果表明,膜结晶技术应用广泛、发展前景远大,尤其是在废水零排放、有机药物以及生物大分子结晶等领域。

降膜结晶法在高纯硫酸制备中的应用

现行高纯硫酸生产工艺复杂、能耗大且成本高。降膜结晶法具有绿色环保、节能和工艺简单的优势。采用减压蒸馏、降膜结晶工艺对工业硫酸进行净化提纯,可以制备出达到BV-Ⅲ级的高纯硫酸。最佳工艺条件:1)通过减压蒸馏将工业硫酸中的大部分杂质除去;2)通过降膜结晶获得粗晶体,结晶条件为初始结晶温度-5℃、降温步长每10 min降温0.6℃、结晶时间80 min、料液流量20 mL/min;3)对粗晶体进行发汗提纯,发汗条件为发汗终温6℃、升温速度3℃/h、升温方式每10 min升温0.5℃。该工艺在高纯硫酸的制备方面有着广阔的应用前景。

溶菌酶动态膜结晶传质过程研究

采用聚偏氟乙烯中空纤维微孔膜对溶菌酶动态膜结晶进行了实验研究,重点考察动态结晶过程中的结晶溶液流速和洗脱液流速对溶剂跨膜通量及总传质系数的影响.结果表明,跨膜通量和总传质系数均随实验的进行而减小;总传质系数不仅与操作条件有关,还与结晶溶液中蛋白质的浓度有联系.