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结构掺杂型Li_(1.12)K_(0.05)Mn_(0.57)Ni_(0.24)Nb_(0.02)O_(2)正极材料的合成及其性能提升机制研究
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作者 刘聪 张爽 +2 位作者 冯圆圆 苗晓伟 杨刚 《常熟理工学院学报》 2023年第5期26-28,共3页
多元掺杂结构型富锂材料被广泛应用于合成高性能锂电池正极材料.本文采用高温固相方法,合成了K和Nb元素共掺杂Li_(1.12)K_(0.05)Mn_(0.57)Ni_(0.24)Nb_(0.02)O_(2)(2 LMN–K/Nb)材料,并进行相关结构表征,同时应用于锂离子电池的正极材... 多元掺杂结构型富锂材料被广泛应用于合成高性能锂电池正极材料.本文采用高温固相方法,合成了K和Nb元素共掺杂Li_(1.12)K_(0.05)Mn_(0.57)Ni_(0.24)Nb_(0.02)O_(2)(2 LMN–K/Nb)材料,并进行相关结构表征,同时应用于锂离子电池的正极材料开展相关研究.结构分析表明,微量的元素K^(+)和Nb^(5+)分别掺入了富锂正极材料锂层和过渡金属(TM)层,并对富锂材料的动力学行为、电化学性能产生了明显影响.LMN–K/Nb在5C倍率的放电容量为145 mAh·g^(-1),在10C倍率放电容量达112 mAh·g^(-1),并在400次循环后保持83.1%的容量.在充放电循环过程中,微量元素掺杂起到了抑制富锂材料不可逆的副反应作用.该工作证实:为了提高LLO基锂电池正极材料的性能,在锂层和TM层中的进行多元元素取代是一种可行的策略. 展开更多
关键词 掺杂结构 正极材料 电化学性能 锂离子电池
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Mn掺杂浓度对ZnO纳米薄膜的结构和光致发光的影响 被引量:8
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作者 李金华 张吉英 +3 位作者 赵东旭 吕有明 申德振 范希武 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期615-619,共5页
Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不... Mn掺杂的ZnO基稀磁半导体材料由于具有独特的特性而受到人们广泛的关注。ZnO的激子束缚能高达60meV,具有优良的光学性质。因此,Mn掺杂的ZnO材料研究在磁性半导体领域广泛开展起来。文章采用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂的ZnO纳米晶,讨论了不同Mn含量对材料结构和光致发光的影响。XRD结果表明,所有的样品均具有六角纤锌矿结构,并且随着引入Mn含量的增加,样品的晶格常数增大。光致发光结果显示,随Mn含量的增加,样品的紫外发光峰先红移后蓝移。光致发光谱也显示,适量的Mn掺杂可以钝化样品的可见区发射,提高样品的光学质量。 展开更多
关键词 光致发光 ZNO MN含量 Mn掺杂结构
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氮掺杂石墨烯纳米结构的等离激元激发(英文) 被引量:2
3
作者 尹海峰 陈广萍 +1 位作者 向功周 张红 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1297-1305,共9页
基于含时密度泛函理论,研究了氮掺杂石墨烯纳米结构的等离激元特性。吡啶型氮掺杂不影响石墨烯纳米结构的等离激元激发特性,而取代型氮掺杂主要基于石墨烯纳米结构对称性的改变和体系中电子密度的增加来影响石墨烯纳米结构的等离激元共... 基于含时密度泛函理论,研究了氮掺杂石墨烯纳米结构的等离激元特性。吡啶型氮掺杂不影响石墨烯纳米结构的等离激元激发特性,而取代型氮掺杂主要基于石墨烯纳米结构对称性的改变和体系中电子密度的增加来影响石墨烯纳米结构的等离激元共振。相对于纯六角石墨烯纳米结构,在低能共振区,取代型氮掺杂六角石墨烯纳米结构的等离激元共振能量发生了红移。相对于纯矩形石墨烯纳米结构,在低能共振区,取代型氮掺杂矩形石墨烯纳米结构沿扶手椅型边界方向激发时,其等离激元共振能量发生了蓝移;沿Z字型边界激发时,其主要的等离激元共振模式受掺杂氮的影响较小。 展开更多
关键词 等离激元 掺杂石墨烯纳米结构 含时密度泛函理论
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GaInAs/AlInAs调制掺杂结构材料的光学性质研究
4
作者 江德生 刘伟 +2 位作者 张耀辉 张永航 K.Ploog 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期121-125,共5页
研究了GaInAs/AlInAsn型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后.二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应:导带两个子带填充电子。发光强度则表明,导带第二子带电子波函数在空间上... 研究了GaInAs/AlInAsn型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后.二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应:导带两个子带填充电子。发光强度则表明,导带第二子带电子波函数在空间上更扩展,与空间分离的空穴产生发光复合的几率较大。激发光谱提供了样品中异质结结构直接带边附近光吸收过程的信息。 展开更多
关键词 调制掺杂结构 光学性质 外延生长
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多晶硅薄膜晶体管源漏轻掺杂结构的优化设计
5
作者 李牧菊 杨柏梁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期414-418,共5页
应用场助热电子发射 (thermionic field em ission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系 ,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制 ,并给出轻掺杂结构参数 (如轻掺杂浓度、... 应用场助热电子发射 (thermionic field em ission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系 ,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制 ,并给出轻掺杂结构参数 (如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等 )的优化设计 ,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据 . 展开更多
关键词 多晶硅 源漏轻掺杂结构 优化设计 薄膜晶体管 热电子发射
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Al掺杂的ZnO纳米结构材料制备及其电极设计 被引量:1
6
作者 王相虎 沈悦 +3 位作者 黄梦哲 尹长坤 王荣荣 孙安舟 《上海电机学院学报》 2012年第2期115-118,共4页
介绍了一维Al掺杂的ZnO(Al-ZnO)纳米结构材料的制备,研究了该材料体系的电极设计与优化。结果表明,适合于这种材料的电极为Au/Ni双层金属膜,经过在Ar和N2气氛中分别退火处理后,Au/Ni双层金属膜与Al-ZnO纳米结构材料的接触电阻得到明显降... 介绍了一维Al掺杂的ZnO(Al-ZnO)纳米结构材料的制备,研究了该材料体系的电极设计与优化。结果表明,适合于这种材料的电极为Au/Ni双层金属膜,经过在Ar和N2气氛中分别退火处理后,Au/Ni双层金属膜与Al-ZnO纳米结构材料的接触电阻得到明显降低,并且在Ar气氛中退火要好于在N2气氛中退火。 展开更多
关键词 Al掺杂的ZnO纳米结构 电极 扫描电镜
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源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究 被引量:3
7
作者 纪世阳 李牧菊 杨柏梁 《液晶与显示》 CAS CSCD 2001年第2期129-134,共6页
采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的... 采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 同型结 热电子 漏电流 源漏轻掺杂结构 高清晰度彩色有源平板显示 模拟研究
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调制掺杂结构Si/SiC异质结的光电特性模拟
8
作者 何映锋 陈治明 《微纳电子技术》 北大核心 2016年第1期18-24,共7页
为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿... 为了进一步改善Si/SiC异质结光电二极管的性能,采用类似掺杂超晶格的结构,将Si层由多个具有量子尺寸的p型薄层和n型薄层周期性地叠合而成,在Si层中形成一系列不同层的电子势阱和空穴势阱,以延迟光生载流子的复合,延长光生载流子的复合寿命,达到提高光电流密度的目的。使用Silvaco软件模拟了这种Si/SiC异质结的特性,研究了不同的Si层结构参数对器件光电特性的影响,并对Si层的厚度及掺杂浓度进行了优化。研究表明,在0.6 W/cm2的卤钨灯辐照条件下,从SiC侧入射,p-Si和n-Si层的掺杂浓度均为1018 cm-3,厚度均为10 nm,器件的光电流密度可达129.6 mA/cm2,与常规结构相比,其最大光电流密度提高了21%,表明将Si/SiC异质结的Si层做成调制掺杂结构对器件光电性能有显著的改善作用。 展开更多
关键词 Si/SiC异质结 调制掺杂结构 光电效应 光电流密度 Silvaco软件
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氮掺杂碳包覆的氧化镍和钼酸镍复合材料用于尿素氧化电催化
9
作者 徐立强 杨星 +1 位作者 张玉冰 王新星 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 2024年第1期15-22,共8页
通过分步水热以及退火的方法合成了氮掺杂碳包覆的氧化镍和钼酸镍复合材料(CN@NiO-NiMoO_(4)),并将其负载于泡沫镍(NF)上,直接用作催化尿素氧化反应UOR的电极材料。实验表明:氮掺杂碳包覆结构以及C-N@NiO与NiMoO_(4)的协同作用可以增强... 通过分步水热以及退火的方法合成了氮掺杂碳包覆的氧化镍和钼酸镍复合材料(CN@NiO-NiMoO_(4)),并将其负载于泡沫镍(NF)上,直接用作催化尿素氧化反应UOR的电极材料。实验表明:氮掺杂碳包覆结构以及C-N@NiO与NiMoO_(4)的协同作用可以增强催化剂的导电性、电荷转移能力、抗中毒能力并增大电活性表面积,显著提高了C-N@NiO-NiMoO_(4)的电催化活性和长期稳定性。研究还发现,C-N@NiO-NiMoO_(4)/NF在1.8 V的电流密度是NiMoO_(4)/NF的1.7倍,C-N@NiO/NF的3.6倍,在10 mA·cm^(-2)的电流密度下催化UOR 57 h,催化性能无显著变化。综上,C-N@NiO-NiMoO_(4)具有良好的实际应用前景。 展开更多
关键词 尿素氧化 电催化 氧化镍 钼酸镍 掺杂碳包覆结构
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氮掺杂氧化钨分层纳米结构的可控制备及形成机制研究
10
作者 赵亚婷 穆青苗 +3 位作者 谭梦迪 王婷 王伟 顾洪溪 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2023年第2期48-55,共8页
目的可控制备氮掺杂WO_(3)/W_(18)O_(49)分层纳米结构材料,并对其形成机制进行研究。方法采用溶剂热法,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱等对氮掺杂WO_(3)/W_(18)O_(49)分层纳米结构材料形... 目的可控制备氮掺杂WO_(3)/W_(18)O_(49)分层纳米结构材料,并对其形成机制进行研究。方法采用溶剂热法,并利用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线粉末衍射仪(XRD)、透射电镜(TEM)、拉曼光谱等对氮掺杂WO_(3)/W_(18)O_(49)分层纳米结构材料形貌结构及其生长机制进行研究。结果通过调节HNO_(3)的量、反应时间及WCl_(6)浓度等条件有效调控制备多种形貌及结构不同的氮掺杂氧化钨纳米材料,并且发现不同形貌的氮掺杂氧化钨纳米材料的形成机制主要基于HNO_(3)对奥斯特瓦尔德熟化机制和自组装过程的调控。结论HNO_(3)作为添加剂,对氧化钨的形貌及结构具有优异的调控作用,可实现对氮掺杂氧化钨分层纳米结构材料的成功制备。 展开更多
关键词 掺杂氧化钨分层纳米结构 浓硝酸 形成机制
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ZrO_2的结构、力学性质与应用研究进展 被引量:16
11
作者 欧阳静 李晓玉 +2 位作者 金娇 张毅 杨华明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第15期13-18,共6页
综述了ZrO2的晶体结构特点,详细解析了各种不同晶型的差别与相互转变方式,以Y2O3为例,分析了掺杂稳定ZrO2的高温相结构的机理。介绍了ZrO2陶瓷的力学性质,指出晶型稳定化是ZrO2陶瓷应用的重要前提,并详细说明了ZrO2陶瓷增韧的主要原理... 综述了ZrO2的晶体结构特点,详细解析了各种不同晶型的差别与相互转变方式,以Y2O3为例,分析了掺杂稳定ZrO2的高温相结构的机理。介绍了ZrO2陶瓷的力学性质,指出晶型稳定化是ZrO2陶瓷应用的重要前提,并详细说明了ZrO2陶瓷增韧的主要原理和应用方法。相关原理和方法可为研究ZrO2陶瓷提供参考。 展开更多
关键词 结构转变掺杂稳定力学性质相变增韧
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调制掺杂Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结中Al_xGa_(1-x)N势垒层表面态及其他局域态性质研究
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作者 刘杰 沈波 +5 位作者 周玉刚 周慧梅 郑泽伟 张荣 施毅 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期822-826,共5页
通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 .结果发现在小偏压下 ,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降 ,说明势垒层中存在表面态 .实验数据... 通过测量调制掺杂Al0 2 2 Ga0 78N/GaN异质结样品的变频电容 电压 (C V)特性 ,对Al0 2 2 Ga0 78N势垒层表面态的性质进行了研究 .结果发现在小偏压下 ,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降 ,说明势垒层中存在表面态 .实验数据分析表明 :表面态密度约为 10 13 cm-2 量级 ,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大 .随着空间隔离层厚度的增加 ,势垒层中其他局域态密度随之增加 .在金属电极和Al0 2 2 Ga0 78N势垒层之间加入Si3 N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用 ,使表面态密度降为~ 10 12 cm-2 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 调制掺杂异质结构 势垒层 表面态
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砷在石膏中固定机制:掺杂态和表面吸附沉淀态以及其在砷污染控制中的作用
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作者 Jinru Lin Ning Chen Yuanming Pan 《地学前缘》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第5期227-237,共11页
石膏是矿山开采及冶炼等工业过程产生的大宗固体废弃物。工业活动产生的废液普遍有高含量的砷等有毒元素,这导致所产生的石膏也含有较高浓度的砷等有毒元素。研究砷在石膏中地球化学行为和归趋对含砷石膏的砷污染控制具有重要的理论和... 石膏是矿山开采及冶炼等工业过程产生的大宗固体废弃物。工业活动产生的废液普遍有高含量的砷等有毒元素,这导致所产生的石膏也含有较高浓度的砷等有毒元素。研究砷在石膏中地球化学行为和归趋对含砷石膏的砷污染控制具有重要的理论和实际意义。然而目前对含砷石膏中不同形态的砷的定量测定和分析尚存在问题。本文在不同pH值的条件下共沉淀砷和石膏,利用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)、同步辐射X-射线吸收近边光谱(XANES)和电子顺磁共振(EPR)对石膏中掺杂态和表面吸附沉淀态的砷进行定量分析。ICP-MS的结果表明随着pH从2升高到12和14,石膏中砷的含量由57×10^-6增加到67470×10^-6和63980×10^-6。同步辐射X-射线吸收近边光谱和电子顺磁共振光谱分析表明石膏样品中主要含有五价砷。在2≤pH≤7.5时,固体样品中同步辐射吸收边后的峰形状和掺杂态砷的形状类似,而在pH≥8时,其边后峰的形状发生明显的变化;粉末电子顺磁共振(EPR)定量分析表明在2≤pH≤7.5时砷在石膏中的含量和ICP-MS的分析结果一致,而在pH≥8时其含量明显小于ICP-MS的分析结果。这些结果揭示了在2≤pH≤7.5时,砷在石膏中主要以掺杂态的形式存在,而在pH≥8时大部分砷是以吸附态或表面沉淀的形式存在。五价砷在石膏中的含量和固定机制随着pH值的变化而变化,其研究对了解尾矿中石膏对砷污染的控制作用具有重要作用。此外,研究石膏中由辐射导致的g约为2.33的[AsO3]^2-自由基电子顺磁共振特征峰,有助于补充和完善石膏的电子顺磁共振特征谱在地质测年及辐射剂量学中的应用。 展开更多
关键词 石膏 矿山尾矿 砷污染 结构掺杂 表面吸附 pH作用
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顶发射白光OLED微型显示器的蓝光掺杂特性研究 被引量:3
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作者 段良飞 王光华 +4 位作者 钱福丽 高思博 段瑜 季华夏 范恒 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期2630-2633,共4页
白光OLED微型显示器在信息显示领域具有重要的应用。采用真空镀膜系统,依次蒸镀Ag/ITO复合薄膜作为阳极结构,共蒸制备Mg∶Ag复合膜作为半透明阴极结构, NPB作为空穴传输材料和黄光主体材料, rubrene作为黄光掺杂料, AND作为蓝光主体料, ... 白光OLED微型显示器在信息显示领域具有重要的应用。采用真空镀膜系统,依次蒸镀Ag/ITO复合薄膜作为阳极结构,共蒸制备Mg∶Ag复合膜作为半透明阴极结构, NPB作为空穴传输材料和黄光主体材料, rubrene作为黄光掺杂料, AND作为蓝光主体料, DSA-Ph作为蓝光掺杂料, Alq3作为电子传输材料,以结构和工艺简化的蓝、黄光互补色来实现白光,通过共蒸发形式制备了结构为Ag/ITO/NPB/NPB∶rubrene(1.5%)/ADN∶DSA-Ph( x %/ x =2, 5, 8)/Alq3/Mg∶Ag的白光OLED微型显示器,利用由Photo Research PR655光谱仪、 Keithley 2400程控电源组成的光谱测试系统对器件的光电性能进行表征,研究了蓝光掺杂比对白光OLED微型显器性能的影响。结果表明,随着蓝光掺杂比的增加,白光OLED微型显示器的亮度先增加后降低,蓝光、黄光峰位有所偏移,色坐标发生一定的漂移,蓝光色纯度增加,可通过调控发光材料掺杂比实现白光OLED微型显示器性能的可控制备。初步优化获得的蓝、黄混合白光OLED微型显示器的器件,当驱动电压为5.0 V时,器件亮度达到3 679 cd·m^-2 , CIE坐标为(0.263, 0.355)。 展开更多
关键词 白光 OLED微型显示器 掺杂结构 器件性能
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非对称HALO-LDD掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究(英文) 被引量:2
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作者 蒋嗣韬 肖广然 王伟 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第3期228-236,共9页
随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器... 随着器件沟道尺寸的不断缩小,短沟道效应(SCE)和漏致势垒降低效应(DIBL)对常规类MOSFET结构的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFET)影响变大,从而引起器件性能下降。文中提出了一种新型采用非对称HALO-LDD掺杂结构的GNRFET,其能够有效抑制器件中SCE和DIBL,改善器件性能。并采用一种量子力学模型研究GNRFET的电学特性,该模型基于二维NEGF(非平衡格林函数)方程和Poisson方程自洽全量子数值解。结合器件的工作原理,研究了GNRFET的电学特性和器件结构尺寸效应,通过与采用其他掺杂结构的GNRFET的电学特性对比分析,发现这种掺杂结构的石墨烯纳米条带场效应管具有更低的泄漏电流。 展开更多
关键词 石墨烯纳米条带 场效应管 非平衡格林函数 掺杂结构 漏极电场致势垒降低效应
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二氧化锰/多孔氮掺杂碳复合材料的制备及线性超级电容器的性能
16
作者 施敏杰 朱航天 +3 位作者 李志敏 周云鹏 刘羽婷 晏超 《江苏科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第1期32-38,共7页
线性超级电容器在便携式和可穿戴电子产品中有着巨大的应用前景.本研究以尿素为氮源,葡萄糖为碳源,通过牺牲自模板法,制备了二维超薄多孔结构的氮掺杂碳纳米片(2D-PNC).然后在其表面均匀负载了针状结构的二氧化锰(MnO_(2)),从而得到一... 线性超级电容器在便携式和可穿戴电子产品中有着巨大的应用前景.本研究以尿素为氮源,葡萄糖为碳源,通过牺牲自模板法,制备了二维超薄多孔结构的氮掺杂碳纳米片(2D-PNC).然后在其表面均匀负载了针状结构的二氧化锰(MnO_(2)),从而得到一种高性能的MnO_(2)@2D-PNC纳米复合材料.在此基础上,将MnO_(2)@2D-PNC涂覆到碳纤维线和铝箔上,分别作为柔性内电极和外电极,利用离子液体凝胶作为固态电解质,制备出具有高能量密度的共轴线性超级电容器,其能量密度可达40.5(W·h)/kg,并且具有良好的循环稳定性能.本研究成果不仅在电极材料结构设计的研究上具有指导意义,而且将为可穿戴储能器件的发展提供新思路和可靠的实验依据. 展开更多
关键词 二氧化锰 多孔氮掺杂结构 纳米复合材料 线性超级电容器
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Improvement of crystal structure and electrical performance of NASICON-type NaTi_(2)(PO_(4))_(3) solid electrolyte by doping Cr^(3+) ions
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作者 Cheng-jian WEN Zhi-wei LUO +3 位作者 Xin-yu LIU Ju-xia TONG Pan HE An-xian LU 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2024年第12期4020-4031,共12页
A series of Cr^(3+)-substituted Na_(1+x)Ti_(2−x)Cr_(x)P_(3)O_(12)(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,molar fraction)solid electrolytes were prepared by the solid-phase reaction method.The effects of Cr^(3+)ions on the phase compos... A series of Cr^(3+)-substituted Na_(1+x)Ti_(2−x)Cr_(x)P_(3)O_(12)(x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,molar fraction)solid electrolytes were prepared by the solid-phase reaction method.The effects of Cr^(3+)ions on the phase composition,microstructure,and electrochemical ion conductivity of Na-based conductors were studied using X-ray powder diffraction,field emission scanning electron microscopy,and AC impedance measurement.The results show that the main crystal phase of NaTi_(2)(PO_(4))_(3) is formed in the solid electrolytes.The substitution of Ti4+sites by 15 at.%Cr^(3+)ions contributes to the enhancement of electrical conductivity,which is attributed to the combined effect of suppressing the formation of impurity phases,broadening ion channels,and improving the bonding degree of grains.Na_(1.3)Ti_(1.7)Cr_(0.3)P_(3)O_(12) electrolyte can obtain the best ionic conductivity of 6.13×10^(−6)S/cm at room temperature,which is 8 times that of the undoped NaTi_(2)(PO_(4))_(3) electrolyte. 展开更多
关键词 NaTi_(2)(PO_(4))_(3) solid electrolyte crystal structure ionic conductivity Cr-doping
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Recent development of LiNi_xCo_yMn_zO_2:Impact of micro/nano structures for imparting improvements in lithium batteries 被引量:8
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作者 潘成迟 Craig E.BANKS +3 位作者 宋维鑫 王驰伟 陈启元 纪效波 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第1期108-119,共12页
The recent advancement in the design,synthesis,and fabrication of micro/nano structured LiNixCoyMnzO2 with one-,two-,and three-dimensional morphologies was reviewed.The major goal is to highlight LiNixCoyMnzO2 materia... The recent advancement in the design,synthesis,and fabrication of micro/nano structured LiNixCoyMnzO2 with one-,two-,and three-dimensional morphologies was reviewed.The major goal is to highlight LiNixCoyMnzO2 materials,which have been utilized in lithium ion batteries with enhanced energy and power density,high energy efficiency,superior rate capability and excellent cycling stability resulting from the doping,surface coating,nanocomposites and nano-architecturing. 展开更多
关键词 lithium-ion battery micro/nano structures LiNixCoyMnzO2 DOPING surface coating composite materials
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钴掺杂锐钛矿二氧化钛能带结构的第一性原理计算 被引量:4
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作者 刘慧 孙晓君 +3 位作者 孙苗 张艳 薛宾泰 刘毅 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1617-1621,共5页
基于第一性原理的密度泛函理论,利用平面波超软赝势方法计算了纯锐钛矿相TiO2及Co掺杂TiO2的晶体结构、带隙、态密度及其光吸收系数。结果表明:掺杂能级的形成主要是Co的3d轨道的贡献,Co的3d轨道分别参与了价带和导带的组成,形成了杂化... 基于第一性原理的密度泛函理论,利用平面波超软赝势方法计算了纯锐钛矿相TiO2及Co掺杂TiO2的晶体结构、带隙、态密度及其光吸收系数。结果表明:掺杂能级的形成主要是Co的3d轨道的贡献,Co的3d轨道分别参与了价带和导带的组成,形成了杂化轨道,并且在价带和导带之间形成了新的杂质能级,缩小了带隙;Co掺杂使TiO2的光吸收系数阈值发生红移(>400nm),并在可见光区表现出一定程度的吸收。 展开更多
关键词 锐钛矿二氧化钛 掺杂:能带结构 态密度
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First-Principle Calculation of the Electronic Structure of Sb-Doped SrTiO_3 被引量:1
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作者 贠江妮 张志勇 +1 位作者 邓周虎 张富春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1537-1542,共6页
The electronic structure,including band structure,density of states (DOS), and partial density of states of SrTi1-xSbxO3 with x = 0,0. 125,0.25,and 0.33 is calculated from the first principles of plane wave ultra-so... The electronic structure,including band structure,density of states (DOS), and partial density of states of SrTi1-xSbxO3 with x = 0,0. 125,0.25,and 0.33 is calculated from the first principles of plane wave ultra-soft pseudo-potential technology based on density function theory. The calculated results reveal that due to the electron doping,the Fermi level moves into the conduction bands for SrTi1-xSbxO3 with x = 0. 125 and the system shows metallic behavior. In addition, the DOS moves towards low energy and the optical band gap is broadened. The wide band gap and the low density of the states in the conduction band result in the transparency of the films. 展开更多
关键词 first principles SRTIO3 Sb-doping electronic structure transparent films
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