过氧化氢络合共沉淀法制备PZT陶瓷粉体

以ZrOCl_2·8H_2O、TiCl_4、Pb(Ac)_2·3H_2O为原料,H_2O_2为络合剂,通过络合共沉淀法制备了Pb(Zr_(0.53)Ti_(0.47))O_3粉体。研究了沉淀过程中沉淀剂种类对前驱体沉淀的洗涤-过滤特性及收率的影响。结果表明,以预先溶解有硫酸铵的氨水为沉淀剂制备的前驱体的洗涤-过滤特性得到显著改善,所用的过滤时间缩短近一个数量级,同时收率也得到明显的提高;XRD结果表明前驱体经过600℃煅烧处理后呈单一钙钛矿结构,且结晶性能良好;EPMA电子能谱表明粉体组成与拟定配比相同,且粉体的组成均匀性良好。

过氧化锆酸前驱体的制备及过氧化氢的加入对ZrO_2(Y_2O_3)粉体性能的影响

采用过氧化氢络合共沉淀工艺制备Y-ZrO2纳米粉体.得到含-OH与-OOH 2种配位基团的过氧化锆酸沉淀.研究了过氧化氢对沉淀过程和粉体性能的影响.实验结果表明:适量过氧化氢的添加,改善了Y2O3,ZrO2组成分布均匀性;过氧化氢有利于改善沉淀的过滤特性,缩短制备工艺周期.过氧化锆酸前驱体在加热过程中开始晶化的温度要比氢氧化锆晶化温度高.粉体粒子由20～30 nm近球形的一次粒子构成.

亚微米级球形α-Ni(OH)_2的制备、结构及性能

采用均匀络合共沉淀法，用 Ａｌ部分替代Ｎｉ，选择合适的成球剂，合成分子式为Ｎｉ０．８Ａｌ０．２（ＯＨ）２·（ｎ－ｘ）Ｈ２Ｏ·ｘＮＨ３的亚微米级球形α－Ｎｉ（ＯＨ）２。并采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热技术、扫描电镜和傅立叶变换红外（ＦＴＩＲ），对其结构以及相组成进行研究。电化学测试表明：制得的亚微米级球形α－Ｎｉ（ＯＨ）２与普通的α－Ｎｉ（ＯＨ）２和球形β－Ｎｉ（ＯＨ）２相比。具有电化学比容量高、活性物质利用率高和循环可逆性好等优点。

掺杂稀土元素对Ni(OH)_2晶格的影响

首次研究了掺杂稀土元素La、Nd对Ni(OH) 2 晶格的影响 ,通过掺入异种高价离子 ,改变了Ni(OH ) 2 的晶格常数 ,特别是c轴的增加 ,改善了材料的质子扩散性能 ,减少了电化学反应的阻力。另外 ,掺杂异价离子降低了Ni2 + 的局域能级 ,引入了大量的正缺陷。相对于未掺杂晶体 ,其OH-的数量增多 ,增大了质子扩散的几率 ,因而提高了材料的电化学性能。

不同镍盐合成的球形β-Ni(OH)_2的充放电特性与结构变化规律

采用均匀络合共沉淀法 ,以不同的镍盐分别合成出了球形 β Ni(OH) 2 ,并对其充放电循环及循环伏安特性进行了研究 .发现由不同盐合成的Ni(OH ) 2 其电化学性能有较大差别 ,用NiSO4合成的Ni(OH) 2 放电比容量高 ,循环寿命较好 ,平台电位也高于用Ni(NO3) 2 合成的Ni(OH) 2 .根据X射线 (XRD)分析和傅立叶变换红外 (FTIR)图谱对存在差别的原因进行分析 。

掺钕氧化钆镧透明激光陶瓷粉体的制备

分别用络合共沉淀法和溶胶-凝胶燃烧法制备了掺钕氧化钆镧粉体,用热分析仪(TG-DTA)、X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)对制备的粉体进行了分析。结果表明,用络合共沉淀法制备的粉体经不同温度热处理后均为立方相结构,颗粒小、均一、呈薄片状、晶界清晰;用溶胶-凝胶燃烧法制备的粉体随着热处理温度的升高由单斜相转变为立方相,经1100°C热处理后的粉体为单斜相,蓬松、多孔,有一定程度的团聚,经1300°C热处理后转变为立方相,颗粒呈球状、均一、晶界清晰,颗粒较大。综合对比2种方法发现,络合共沉淀法更适合制备(Nd∶GdLa)2O3粉体。

掺杂稀土元素对Ni(OH)_2晶格的影响

研究了稀土元素 L a掺杂对 Ni( OH) 2 晶格的影响 ,发现通过掺杂 ,改变了 Ni( OH) 2 晶格常数 ,降低了Ni2 +的局域能级 ,引入了大量的正缺陷 ,相对于未掺杂晶体 ,其 OH-的数量增多 ,增大了质子扩散的几率 ,因而提高了材料的电化学性能 .

Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2启釜工艺研究

为获得质量合格的Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2产品,以络合共沉淀方法制备了Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2,考察了加碱量、加氨量、加水量对前期启釜,以及后续络合共沉淀稳定性的影响。结果表明,过高或者过低的加碱量、加氨量和加水量都不利于启釜以及络合共沉淀稳定性过程控制;加碱量控制在使启釜底液pH值为11~12,加氨量控制在使启釜底液中氨质量浓度为1500~2000μg/mL,加水量与反应釜体积比值为0.4~0.5,在该条件下可以合成反应周期适中、性能较高的Ni0.5Co0.2Mn0.3(OH)2产品。