固体径迹探测器测量绝对中子注量率的一种简便法

文章叙述了用4πβ-γ符合仪器测量金箔的活性,求得所测中子场的绝对中子注量率,然后对固体径迹探测器进行刻度。由于将几个因子归并为一个简单系数,简化了公式,用时十分方便。本方法适用于任何厚度的裂变源。

峰面积比法测量绝对热中子注量率

介绍了利用γ谱仪测量绝对中子注量率的方法。在已知中子场中照射金 (Au)箔和铕 (Eu)箔 ,利用γ谱仪分别测量198Au和152 Eu的 4 11keVγ峰面积 ,根据两者的峰面积之比和已知中子场的绝对中子注量率 ,求得152 Eu的 4 11keVγ峰面积对应的中子注量率。在待测中子场中 ,照射金箔 ,利用γ谱仪测量其 4 11keVγ峰面积和刻度过的152 Eu的 4 11keVγ峰面积 ,根据两者之比和已求得的152 Eu的 4 11keVγ峰面积对应的中子注量率 ,确定出待测中子场的中子注量率。该方法避免了不同γ谱仪对能量响应、探测效率和几何条件不同带来的误差。该方法测量结果与其它方法测量结果一致。

Eu活化过渡法测量绝对热中子注量率

在相同条件下，以不同时间辐照Au箔和Eu箔，用γ谱仪测量^(198)Au的411keVγ峰面积和^(152)Eu的411keVγ峰面积，再通过4πβ－γ符合装置测得金箔的绝对中子注量率，根据两者的峰面积之比和测得的Au箔绝对中子注量率，求得^(152)Eu的411keVγ峰面积对应的中子注量率。在待测中子场中，照射Au箔，利用γ谱仪测量其411keVγ峰面积和刻度过的^(152)Eu的411keVγ峰面积，根据两者之比和在已知中子场中求得的^(152)Eu的411keVγ峰面积对应的中子注量率，确定了待测中子场的中子注量率。该方法避免了不同γ谱仪对能量响应、探测效率和几何条件不同带来的误差。其测量结果与其它方法测量结果一致。

用聚乙烯薄膜测中子绝对注量率

在测量快中子（ｎ，ｐ）反应的实验中，同样利用屏栅电离室测得聚乙烯薄膜反冲质子的能谱，并利用蒙特－卡罗方法对其进行校正，从而得到中子的绝对注量率。将其结果与２３８Ｕ测得的结果进行比较，二者在误差范围内相同，说明用此方法测量中子绝对注量率是可行的。