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一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法
被引量:
1
1
作者
常永明
毛维
+1 位作者
杜林
郝跃
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第12期3039-3044,共6页
该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaNHEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至...
该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaNHEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至关重要,分别使用3种误差函数对AlGaN/GaNHEMT器件模型进行了参数提取并对比,对比结果表明该文提出的误差函数更加精确和有效。同时为今后的电子器件的模型参数提取提供了一种有效且精确的方法。
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关键词
ALGAN/GAN
HEMT
绝对误差函数
参数提取
遗传算法
下载PDF
职称材料
题名
一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法
被引量:
1
1
作者
常永明
毛维
杜林
郝跃
机构
西安电子科技大学宽禁带半导体重点实验室
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2017年第12期3039-3044,共6页
基金
国家自然科学基金(61574112)
陕西省自然科学基础研究计划(605119425012)~~
文摘
该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaNHEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至关重要,分别使用3种误差函数对AlGaN/GaNHEMT器件模型进行了参数提取并对比,对比结果表明该文提出的误差函数更加精确和有效。同时为今后的电子器件的模型参数提取提供了一种有效且精确的方法。
关键词
ALGAN/GAN
HEMT
绝对误差函数
参数提取
遗传算法
Keywords
AlGaN/GaN HEMT
Absolute error function
Parameter extraction
Genetic algorithm
分类号
O47 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法
常永明
毛维
杜林
郝跃
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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