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Ga_xP_y(x+y=8)及其阴离子团簇的结构与性质的DFT研究(英文) 被引量:3
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作者 郭彩红 贾建峰 +1 位作者 郭玲 武海顺 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1253-1259,共7页
用密度泛函理论方法对半导体二元微团簇GaxPy和GaxPy-(x+y=8)的几何结构、电子态、能量等进行了计算,在B3LYP/6-311+G(2df)水平下完成结构优化和频率分析.讨论了电荷诱导结构发生变化情况,与中性团簇相比,在阴离子团簇中,Ga—P键较P—P... 用密度泛函理论方法对半导体二元微团簇GaxPy和GaxPy-(x+y=8)的几何结构、电子态、能量等进行了计算,在B3LYP/6-311+G(2df)水平下完成结构优化和频率分析.讨论了电荷诱导结构发生变化情况,与中性团簇相比,在阴离子团簇中,Ga—P键较P—P键有利于形成.预测了未知Ga1P7-、Ga2P6-、Ga3P5-、Ga6P2-和Ga7P1-化合物的最稳定结构存在的可能性,得出在GaxPy和GaxP-y(x+y=8)中,Ga4P4和Ga4P4-比较稳定.给出了两种能差即绝热电子亲合势(ΔEAEA)和垂直电离能(ΔEVDE),并与相关文献作比较.Ga4P4和Ga5P3的绝热电子亲合势与实验值相当吻合.布居分析表明,磷化镓团簇的成键属于混合键型. 展开更多
关键词 密度泛函理论 GaxPy和GaxPy^-团簇 布居分析 垂直电离能 绝热电子亲合势
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硫氧分子阴离子的QCISD方法研究 被引量:1
2
作者 赵彦英 刘亚军 +2 位作者 黄明宝 郑世钧 孟令鹏 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2120-2123,共4页
使用二次组态相互作用(QCISD)方法和 6 3 11G(d),6 3 11+G(d),6 3 11G(2d)及 6 3 11+G(2d)基组研究了SO-2 和SO-3的分子结构,超精细偶合常数(hfcc)及其对应的分子的绝热电子亲合势(AEA).发现在QCISD/6 3 11+G(2d)水平上计算的两个分子... 使用二次组态相互作用(QCISD)方法和 6 3 11G(d),6 3 11+G(d),6 3 11G(2d)及 6 3 11+G(2d)基组研究了SO-2 和SO-3的分子结构,超精细偶合常数(hfcc)及其对应的分子的绝热电子亲合势(AEA).发现在QCISD/6 3 11+G(2d)水平上计算的两个分子离子的结构,hfcc值(在33S和17O上的)和AEA值与实验值符合得都很好(除SO3-中的在33S上的hfcc值比实验值小 2 3 % ).作为比较,我们使用相同基组作了B3LYP方法计算。 展开更多
关键词 硫氧分子阴离子 QCISD SO2^- SO3^- 超精细偶数常数 绝热电子亲合势 二次相态相互作用
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(GaP)_n和(GaP)_n^-(n=10~16)团簇的结构与稳定性研究 被引量:2
3
作者 郭彩红 贾建峰 武海顺 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第17期1836-1840,共5页
采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10~16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341~390cm-1区域.从能隙、结合... 采用密度泛函理论B3LYP/Lanl2dz方法对(GaP)n和(GaP)-n(n=10~16)团簇的一系列异构体的结构和稳定性进行了研究.讨论了中性团簇得到一个电子之后,几何结构和电子性质的变化.频率分析预测出最强吸收峰位于341~390cm-1区域.从能隙、结合能和能量二次差分等方面综合考虑,具有Th对称性的(GaP)12和(GaP)1-2分别是中性(GaP)n和阴离子(GaP)-n团簇中最稳定的,而具有Td点群结构的(GaP)16也比较稳定,究竟哪种结构易于合成还有待于实验的进一步证实.在相同理论水平上计算了基态(GaP)n(n=10~16)的绝热电子亲合势(AEAs)及其基态阴离子的垂直电离能(VDEs),这对以后的实验数据分析将有一定的参考价值. 展开更多
关键词 密度泛函理论 (GaP)n和(GaP)n^-团簇 垂直电离能 绝热电子亲合势
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