氮化硅绝缘介质膜的SAM分析研究

本文讨论了扫描俄歇微探针（SAM）的绝缘介质膜分析，重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果，通过多种方法消除电荷积累效应，克服SAM仪器本身的局限，取得了满意的分析结果。

用于金属基板的高导热绝缘介质胶膜的研制

针对流延法制备高导热绝缘介质胶膜时溶剂无法完全挥发而影响金属基板性能的缺点,以环氧树脂为基体树脂,添加无机填料、固化剂和固化促进剂、丙烯酸树脂和光引发剂等,经紫外光固化后制得用于金属基板的高导热绝缘介质胶膜,并对其成膜性、导热系数、击穿电压、耐阻焊性和剥离强度等影响因素进行分析。结果表明:制备的高导热绝缘介质胶膜适用期长,导热系数达到2.123 W/(m·K),剥离强度为1.4 N/mm,耐浸焊时间大于300 s。

电力电容器进行直流耐压试验的危害

对全膜绝缘介质电容器进行直流耐压试验的危害进行了理论分析和试验研究 ,结果表明全膜绝缘介质电容器进行直流耐压试验 ,无论是电压分布的机理 ,还是试验效果同交流都是不一样 ,直流耐压试验中将发生故障元件检出率低和电压分布不均匀等现象 ,并导致绝缘良好的元件击穿。