利用硅离子注入提高SOI材料的抗辐射性能

研究采用硅离子注入及高温退火的方法对SOI材料进行抗辐射加固．通过对比发现，制作在加固SOI衬底上的NMOS器件和CMOS反相器在总剂量辐射下性能恶化程度大大降低。陷阱电荷和界面电荷的分析解释了加固机理。结合实验结果和理论分析，证明硅离子注入能有效地加固SOI材料的抗辐射性能．

一种SOInLDMOS的开态特性设计

介绍了一种用于高压电平位移电路的SOInLDMOS器件结构,对其漂移区、sink区、buffer区及场板等结构参数进行器件工艺联合仿真,并分析相关结构参数对开态特性的影响,用于指导高压MOS器件尤其是基于SOI的横向MOS器件的开态特性设计。采用优化的参数,器件关态击穿电压为296V,开态击穿电压为265V,比导通电阻为60.9mΩ.cm2。

SOI技术与SOC基础设计服务平台

本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何实现华润上华0.18微米60VSOI工艺设计服务平台。