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关于高压直流绝缘子外形的研究—数学模型和设计条件
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作者 Chen.,TC 倪淑文 《电瓷避雷器译丛》 1990年第35期33-36,共4页
关键词 直流绝缘子 数学模型 设计
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激光引导下直流棒一棒间隙放电的数学模型
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作者 王巨丰 《广西电力技术》 2000年第3期1-3,27,共4页
激光引导下的放电过程与激光功率密度、电压极性等诸多因素有关。为了定量研究各种因素与放电电压的定量关系 ,采用气体放电理论、激光等离子体理论对放电过程进行定量描述 ,从而建立了激光引导放电的数学模型。该模型的放电电压计算值... 激光引导下的放电过程与激光功率密度、电压极性等诸多因素有关。为了定量研究各种因素与放电电压的定量关系 ,采用气体放电理论、激光等离子体理论对放电过程进行定量描述 ,从而建立了激光引导放电的数学模型。该模型的放电电压计算值与实验值基本吻合。 展开更多
关键词 激光引导 气体放电 数学模型 间隙放电 直流
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污秽绝缘子闪络机理研究综述 被引量:45
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作者 张志劲 蒋兴良 孙才新 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2008年第16期37-42,共6页
文章综述了几十年来国内外对污秽绝缘子闪络机理的研究状况,包括电路模型、能量模型、动态模型、交流电弧重燃条件、电场模型以及低气压下的电弧特性等,并根据真型绝缘子串污闪放电过程的拍摄结果,提出了由剩余污层电阻、沿面电弧和空... 文章综述了几十年来国内外对污秽绝缘子闪络机理的研究状况,包括电路模型、能量模型、动态模型、交流电弧重燃条件、电场模型以及低气压下的电弧特性等,并根据真型绝缘子串污闪放电过程的拍摄结果,提出了由剩余污层电阻、沿面电弧和空气间隙电弧串联组成的低气压下绝缘子长串直流放电数学模型,同时对未来绝缘子污秽闪络机理的研究方向进行了展望,指出真型绝缘子长串放电过程、绝缘子剩余污层电阻、低气压下局部电弧特性的测量等是今后研究的重点。 展开更多
关键词 高电压与绝缘技术 污秽绝缘子 闪络机理 绝缘子长串直流放电数学模型
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直流电阻性本质安全电路低能电弧放电分析 被引量:8
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作者 刘建华 王崇林 姜建国 《中国矿业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期440-442,451,共4页
发现直流电阻性本质安全电路在断开过程中低能电弧放电有三种情况。第一种情况是电弧功率先升后降,放电时间长,出现概率大,属于该类型电路低能电弧放电的典型形式;第二种情况是电弧功率开始慢速最后快速下降,电弧功率较低而放电时间较长... 发现直流电阻性本质安全电路在断开过程中低能电弧放电有三种情况。第一种情况是电弧功率先升后降,放电时间长,出现概率大,属于该类型电路低能电弧放电的典型形式;第二种情况是电弧功率开始慢速最后快速下降,电弧功率较低而放电时间较长,由此解释了为什么有些火花持续时间长却不造成气体引爆;第三种情况是电弧功率在整个放电时间内基本不变,放电时间小,出现概率很小,不会造成气体引爆。最后用放电电流抛物线模型对放电波形进行了仿真。 展开更多
关键词 直流电阻性 本质安全电路 低能电弧放电 波形 数学模型 电弧功率
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基于Matlab的二维PIC/MCC模型的实现 被引量:2
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作者 王俊杰 郑锦华 +2 位作者 魏新煦 吴双 许璐 《电气技术》 2017年第3期84-88,93,共6页
为了实现限定条件下气体放电的二维模拟,基于Matlab通过编程手段开发模拟程序,并用此模拟程序对直流低压条件下氩气的放电过程进行验证。对电子速度进行麦克斯韦初始化,并进行结果验证。提取50个时间步长内的电子数变化趋势,验证了氩气... 为了实现限定条件下气体放电的二维模拟,基于Matlab通过编程手段开发模拟程序,并用此模拟程序对直流低压条件下氩气的放电过程进行验证。对电子速度进行麦克斯韦初始化,并进行结果验证。提取50个时间步长内的电子数变化趋势,验证了氩气放电过程中电子崩的发生;并且通过100个时间步长结束时的电子位置分布,可以观察到阳极鞘层的产生;根据解泊松方程至200步和300步结果的对比研究,验证在本文的模拟条件下200步解泊松方程是足够的;对电子速度均方根处理,得到温度分布示意图,验证了直流氩气放电时阳极板附近温度高的实验现象。至此,基于Matlab开发的二维粒子/蒙特卡洛碰撞的耦合(PIC/MCC)程序,能够进行气体放电模拟。 展开更多
关键词 MATLAB PIC/MCC 直流放电 数学模型 麦克斯韦分布
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硅橡胶合成绝缘子染污放电机理的研究 被引量:24
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作者 关志成 陈原 +1 位作者 梁曦东 张仁豫 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期16-19,共4页
传统的瓷和玻璃绝缘子表面呈亲水性,耐污闪性能较差;硅橡胶合成绝缘子表面呈憎水性,且其憎水性能够迁移至绝缘子表面污层,因而具有优良的耐污闪性能,尽管目前对瓷和玻璃绝缘子的污闪机理已作了较深入的研究,但对合成绝缘子污闪机... 传统的瓷和玻璃绝缘子表面呈亲水性,耐污闪性能较差;硅橡胶合成绝缘子表面呈憎水性,且其憎水性能够迁移至绝缘子表面污层,因而具有优良的耐污闪性能,尽管目前对瓷和玻璃绝缘子的污闪机理已作了较深入的研究,但对合成绝缘子污闪机理的研究尚比较缺乏。该文详细分析了合成绝缘子的染污放电过程,提出了闪络通道由多条短电弧与狭窄水带串联而成的合成绝缘子直流污闪模型。模型表明,众多短电弧的阴阳极压降及水带的高阻值是其具有高污闪电压的原因,同时模型清楚地反映了合成绝缘子临闪电流低、临闪电压高的特点。 展开更多
关键词 合成绝缘子 染污放电 数学模型 硅橡胶 绝缘子
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