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改善SOICMOS集成电路高温性能的研究
1
作者
张新
高勇
+1 位作者
安涛
刘梦新
《集成电路通讯》
2006年第4期1-6,共6页
介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能,提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构,并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比,对它们...
介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能,提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构,并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比,对它们高温输出性能和沟道内晶格温度进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。
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关键词
绝缘层上的硅结构
CMOS电路
高温性能
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职称材料
题名
改善SOICMOS集成电路高温性能的研究
1
作者
张新
高勇
安涛
刘梦新
机构
西安理工大学
出处
《集成电路通讯》
2006年第4期1-6,共6页
文摘
介绍了SOI材料结构技术用于高温电路的优势,分析了影响高温性能的物理效应和结构因素。为实现良好的高温性能,提出了沟道下用氮化铝作埋层以替代常规二氧化硅埋层的SOI器件新结构,并和以二氧化硅为埋层结构的器件特性进行了对比,对它们高温输出性能和沟道内晶格温度进行了研究分析,得出了具有指导意义的分析结果。
关键词
绝缘层上的硅结构
CMOS电路
高温性能
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
改善SOICMOS集成电路高温性能的研究
张新
高勇
安涛
刘梦新
《集成电路通讯》
2006
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