期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
横向固相外延生长及其影响因素的研究 被引量:1
1
作者 罗南林 杨春晖 刘百勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期51-53,共3页
对非超高真空条件下在有SiO2图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜,经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究,得出了有利于L-SPE生长的材料参数和工艺处理条件。
关键词 固相外延 绝缘层上硅单晶 溅射 二氧化硅
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部