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横向固相外延生长及其影响因素的研究
被引量:
1
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作者
罗南林
杨春晖
刘百勇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期51-53,共3页
对非超高真空条件下在有SiO2图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜,经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究,得出了有利于L-SPE生长的材料参数和工艺处理条件。
关键词
固相外延
绝缘层上硅单晶
溅射
二氧化硅
下载PDF
职称材料
题名
横向固相外延生长及其影响因素的研究
被引量:
1
1
作者
罗南林
杨春晖
刘百勇
机构
广东农工商管理学院计算机系
电子部第五研究所
华南理工大学应用物理系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期51-53,共3页
文摘
对非超高真空条件下在有SiO2图形的硅单晶衬底上用离子束溅射淀积非晶硅薄膜,经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究,得出了有利于L-SPE生长的材料参数和工艺处理条件。
关键词
固相外延
绝缘层上硅单晶
溅射
二氧化硅
Keywords
Solid phase epitaxy Silicon on insulator sputtering
分类号
TN304.21 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
横向固相外延生长及其影响因素的研究
罗南林
杨春晖
刘百勇
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1998
1
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