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用于提高微波无线能量传输系统接收端能量转换效率的肖特基二极管
被引量:
3
1
作者
李妤晨
陈航宇
宋建军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期235-243,共9页
转换效率是微波无线能量传输系统的关键参数,为提高该参数指标,本文提出了一种GeOI折叠空间电荷区肖特基二极管,该器件结构可以显著降低肖特基二极管的零偏置电容,利于能量转换效率的提高.通过在ADS仿真软件中使用该器件SPICE模型进行...
转换效率是微波无线能量传输系统的关键参数,为提高该参数指标,本文提出了一种GeOI折叠空间电荷区肖特基二极管,该器件结构可以显著降低肖特基二极管的零偏置电容,利于能量转换效率的提高.通过在ADS仿真软件中使用该器件SPICE模型进行整流电路仿真,在输入能量为24.5 dBm时,获得了75.4%的转换效率.
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关键词
无线能量传输
绝缘层上锗
肖特基二极管
转化效率
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职称材料
SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析
被引量:
3
2
作者
冯松
高勇
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2016年第4期443-448,共6页
SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI...
SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型,主要对其结构参数、耦合系数、3dB带宽和消光比等参数进行了分析,仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系,以及耦合系数对3dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性,为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。
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关键词
绝缘层上锗
硅
微环谐振器
滤波特性
耦合系数
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职称材料
SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究
被引量:
1
3
作者
冯松
高勇
+1 位作者
杨媛
冯玉春
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2010年第3期292-296,共5页
在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y分支光功率分配器的模式,并通过BPM模拟软件对SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器进行了模拟,分析了光场...
在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y分支光功率分配器的模式,并通过BPM模拟软件对SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器进行了模拟,分析了光场强度、分支角度、分支过渡区长度以及附加损耗等之间的关系,选择的Y分支光功率分配器过渡区长度L为1200μm,光束被平均分配到两个分支中,出口处每束光的强度大约是入口处强度的50%,符合Y分支器的3 dB特性。该设计可以获得具有均匀输出特性,当分支角小于1°的时候,附加损耗小于0.5 dB的低损耗SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器。
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关键词
绝缘层上锗
硅
Y光功率分支器
模式
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职称材料
SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
4
作者
冯松
高勇
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2013年第3期314-318,共5页
基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和G...
基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响;重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系,得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论,为SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考。
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关键词
绝缘层上锗
硅
定向耦合器
耦合长度
耦合间距
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职称材料
题名
用于提高微波无线能量传输系统接收端能量转换效率的肖特基二极管
被引量:
3
1
作者
李妤晨
陈航宇
宋建军
机构
西安科技大学电气与控制工程学院
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期235-243,共9页
基金
陕西省教育厅科学研究计划(批准号:18JK0526)
高等学校学科创新引智计划(批准号:B12026)资助的课题.
文摘
转换效率是微波无线能量传输系统的关键参数,为提高该参数指标,本文提出了一种GeOI折叠空间电荷区肖特基二极管,该器件结构可以显著降低肖特基二极管的零偏置电容,利于能量转换效率的提高.通过在ADS仿真软件中使用该器件SPICE模型进行整流电路仿真,在输入能量为24.5 dBm时,获得了75.4%的转换效率.
关键词
无线能量传输
绝缘层上锗
肖特基二极管
转化效率
Keywords
microwave wireless power transmission
GeOI
Schottky diode
conversion efficiency
分类号
TN311.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析
被引量:
3
2
作者
冯松
高勇
机构
西安工程大学理学院
西安理工大学自动化与信息工程学院
出处
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2016年第4期443-448,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61204080)
陕西省教育厅科研计划资助项目(15JK1292)
+3 种基金
西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128
BS1436)
西安工程大学研究生教育"质量工程"资助项目(15yzl10)
陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目((2008)169)
文摘
SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数,研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能,分析了SiGe-OI微环谐振器的滤波特性,以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型,主要对其结构参数、耦合系数、3dB带宽和消光比等参数进行了分析,仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系,以及耦合系数对3dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性,为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。
关键词
绝缘层上锗
硅
微环谐振器
滤波特性
耦合系数
Keywords
SiGe-OI
micro-ring resonator
filtering property
coupling coefficient
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究
被引量:
1
3
作者
冯松
高勇
杨媛
冯玉春
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
深圳大学光电子器件与系统重点实验室
出处
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2010年第3期292-296,共5页
基金
陕西省自然科学基金资助项目(2009JQ8014)
深圳大学省
部重点实验室开放基金资助项目(2007002)
文摘
在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y分支光功率分配器的模式,并通过BPM模拟软件对SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器进行了模拟,分析了光场强度、分支角度、分支过渡区长度以及附加损耗等之间的关系,选择的Y分支光功率分配器过渡区长度L为1200μm,光束被平均分配到两个分支中,出口处每束光的强度大约是入口处强度的50%,符合Y分支器的3 dB特性。该设计可以获得具有均匀输出特性,当分支角小于1°的时候,附加损耗小于0.5 dB的低损耗SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器。
关键词
绝缘层上锗
硅
Y光功率分支器
模式
Keywords
SiGe-OI
optical power splitter of Y-branch
mode
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
4
作者
冯松
高勇
机构
西安理工大学自动化与信息工程学院
西安工程大学理学院
出处
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2013年第3期314-318,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61204080)
陕西省教育厅科研计划资助项目(2013JK1111)
西安工程大学博士科研启动基金资助项目(BS1128)
文摘
基于SiGe-OI新型半导体材料,分析了SiGe-OI对称脊形定向耦合器的横向和纵向耦合理论,在BPM模拟软件平台上,建立了SiGe-OI对称脊形定向耦合器结构,分别模拟了其完全耦合和3 dB耦合的光场传输特性,给出了脊形宽度、耦合间距、光波波长和Ge含量对耦合长度的影响;重点分析了耦合系数、脊形宽度、耦合长度、耦合间距、光波波长以及Ge含量等物理量之间的关系,得出了为了便于光电集成,可以在本文模拟的参数值范围内,选择较大的脊形宽度和较小的耦合间距和Ge含量的结论,为SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研制提供了技术参考。
关键词
绝缘层上锗
硅
定向耦合器
耦合长度
耦合间距
Keywords
SiGe-0I
directional coupler
coupling length
coupling gap
分类号
TN252 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于提高微波无线能量传输系统接收端能量转换效率的肖特基二极管
李妤晨
陈航宇
宋建军
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
3
下载PDF
职称材料
2
SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析
冯松
高勇
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2016
3
下载PDF
职称材料
3
SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究
冯松
高勇
杨媛
冯玉春
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2010
1
下载PDF
职称材料
4
SiGe-OI对称脊形定向耦合器的研究
冯松
高勇
《西安理工大学学报》
CAS
北大核心
2013
0
下载PDF
职称材料
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