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一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析 被引量:1
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作者 龚道本 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1997年第6期411-413,共3页
提出了一种新型的电容器———PIP电容器,它是一种压控电容器,通过控制外加电压(V)可以控制其电容(C)的值。电容在V=0附近出现峰值Cmax,且随着|V|的增加C总是减少的,这是一种新型的电子器件。
关键词 PIP电容 等效电容 耗尽层电容 绝缘层电容
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MIS电容器的平带电容的计算
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作者 龚道本 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期32-34,38,共4页
研究半导体表面态常用C-V法,关键是要确定MIS电容器的平带电容(CFB)的值。通常确定CFB的方法是根据所测得的绝缘层电容(最大电容)Ci和衬底杂质浓度──NA或ND去查找以NA或ND作参变量的(CFB/Ci)-C... 研究半导体表面态常用C-V法,关键是要确定MIS电容器的平带电容(CFB)的值。通常确定CFB的方法是根据所测得的绝缘层电容(最大电容)Ci和衬底杂质浓度──NA或ND去查找以NA或ND作参变量的(CFB/Ci)-Ci曲线族求出CFB来,无须计算,这是方便的。但这种曲线族往往手头上没有,且查找曲线方法本身误差较大。文中推导出公式(A)和公式(B),可用有关量直接精确计算出CFB。 展开更多
关键词 电容 MIS电容 绝缘层电容 平带电容
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STUDY ON COMPOSITION IN NIOBIUM ANODE
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作者 LiChunguang GaoYong DongNingli 《Journal of Electronics(China)》 2004年第5期437-440,共4页
Niobium capacitor uses electrolytic Nb2O5 as dielectric layer formed on surface of porous niobium anode through electrolytic reaction. Analysis of Scanning Electronics Microscope (SEM) combined with X-ray Photoemissio... Niobium capacitor uses electrolytic Nb2O5 as dielectric layer formed on surface of porous niobium anode through electrolytic reaction. Analysis of Scanning Electronics Microscope (SEM) combined with X-ray Photoemission Spectrum(XPS) shows that the formed niobium oxide dielectric consists of not only Nb2O5, but also two kinds of low valence niobium NbO2 and NbO oxide. When using different electrolytic reaction conditions, different valence niobium oxide shows different relative content. The fact provides an important basis for analyzing and improving performances of niobium capacitor. 展开更多
关键词 Niobium anode Niobium capacitor
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