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牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
被引量:
14
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作者
刘国友
覃荣震
+1 位作者
Ian Deviny
黄建伟
《机车电传动》
北大核心
2013年第2期5-8,30,共5页
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短...
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
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关键词
绝缘栅双极品体管
轨道交通
终端结构
台面
栅
注入效率
元胞
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职称材料
变频调速应用技术(一) 第一讲 百年期待盼变频(上)
2
作者
张燕宾
《变频器世界》
2005年第11期129-137,共9页
变频器进入实用阶段,比发明异步电动机晚了近百年。本文从分析其原因入手,讲述了影响实施变频调速的主要问题。进而介绍了变频同时还必须变压的原理,以及正弦脉宽凋制的具体实施方法。
关键词
异步电动机
变频器
开关器件
晶闸管
电力晶
体管
绝缘栅双极品体管
整流与逆变
输入功率
输出功率
电磁功率
磁路饱和
正弦脉宽调制
载波
渊制波
调压比
调频比
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题名
牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
被引量:
14
1
作者
刘国友
覃荣震
Ian Deviny
黄建伟
机构
株洲南车时代电气股份有限公司功率半导体研发中心
出处
《机车电传动》
北大核心
2013年第2期5-8,30,共5页
文摘
针对轨道交通绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用特点,利用计算机仿真技术对终端结构进行优化,提高耐压特性;采用台面栅结构,提高开关速度;通过控制载流子注入效率,改善Vceon与Eoff的折中关系,降低芯片损耗;采用先进元胞设计技术,提高芯片短路能力,从而提高芯片可靠性;通过超低阳极掺杂控制阳极注入效率,免除局部寿命控制,降低FRD的反向漏电流。研究开发了3300V IGBT及其配套FRD芯片,满足轨道交通的应用要求。
关键词
绝缘栅双极品体管
轨道交通
终端结构
台面
栅
注入效率
元胞
Keywords
insulated gate bipolar transistor (IGBT)
rail transit
termination structure
terraced gate
injection efficiency
cell
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN34 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
变频调速应用技术(一) 第一讲 百年期待盼变频(上)
2
作者
张燕宾
机构
宜昌市自动化研究所
出处
《变频器世界》
2005年第11期129-137,共9页
文摘
变频器进入实用阶段,比发明异步电动机晚了近百年。本文从分析其原因入手,讲述了影响实施变频调速的主要问题。进而介绍了变频同时还必须变压的原理,以及正弦脉宽凋制的具体实施方法。
关键词
异步电动机
变频器
开关器件
晶闸管
电力晶
体管
绝缘栅双极品体管
整流与逆变
输入功率
输出功率
电磁功率
磁路饱和
正弦脉宽调制
载波
渊制波
调压比
调频比
Keywords
Induction motor Inverter Switching unit Thyristor Giant transistor Insulated gate bipolar transistor Rectification and inverse transformation Input power Output power Electromagnetic power Magnetic circuit saturation Sine plus width modulation Carrier wave Modulation wave Voltage modulation ratio Frequency modulation ratio
分类号
TM414 [电气工程—电器]
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1
牵引用3300V IGBT/FRD芯片组设计与开发
刘国友
覃荣震
Ian Deviny
黄建伟
《机车电传动》
北大核心
2013
14
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职称材料
2
变频调速应用技术(一) 第一讲 百年期待盼变频(上)
张燕宾
《变频器世界》
2005
0
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职称材料
已选择
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