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绝缘栅双极型晶体管电源高效率技术
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作者 斯德谊 张凤言 《电工教学》 1995年第3期6-10,共5页
绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率... 绝缘栅双极型晶体管(IGBJT)是一种结合了MOS功率管和BJT功率管特点的新型器件。它保留了MOS功率管的全部优点,如输入阻抗高和电容小、可与逻辑控制电平兼容、高速度和热稳定性好,解决了高耐压和低导通电阻之间的矛盾;同时又具有BJT功率管高压和耐过流的优点。应用IGBJT组成中、大功率的开关稳压电源是新一代的电源高效率技术。下面就IGBJT工作原理和它在开关稳压电源中的应用实例进行分析。 展开更多
关键词 绝缘 双极型 晶体管电源
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绝缘栅控双极晶体管大功率固态调制器 被引量:3
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作者 王刚 《舰船电子对抗》 2005年第2期58-60,共3页
现代电子电力场控器件快速发展,绝缘栅控双极晶体管具有开关速度快,电压电流耐量高等诸多优点,使用它制作大功率调制器可以显著改善可靠性,提高发射机的综合指标。
关键词 绝缘 固态调制器 双极晶体管 功率 器件 开关速度 电压电流 综合指标 可靠性 发射机
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绝缘栅双极型晶体管IGBT 被引量:2
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作者 冯玉生 《河南机电高等专科学校学报》 CAS 1995年第1期58-61,64,共5页
八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS栅控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,... 八十年代发展起来的新型复合器件——绝缘栅双极型晶体管IGBT,采用了双导电机制;它的输入级为一种利用MOS栅控的场效应晶体管,具有MOSFET的高输入阻抗和电压控制的特性;输出级为双极型功率晶体管GTR,具有输出阻抗低和电流密度大的特点,而且它的开关速度又远远高于GTR。共等效电路图如图一所示,因此这种器件可以用逻辑电平信号直接驱动控制较大的功率。具有电压型控制的特点:输入阻抗高、需要的驱动功率小,控制电路简单、导通热胆小饱和压降小、开关损耗低、通断速度快工作频率高、电流容量大耐电流冲击范围宽等诸多的优点。由于IGBT集中了MOSFET与GTR的优点于一体,而扬弃了它们的缺点,故而发展迅速,正日益广泛运用于变换器、逆变器、开关电源等回路中。IGBT取代功率双极型晶体管和功率场效应晶体管已是发展的必然趋势。 展开更多
关键词 双极型晶体管 功率IGBT 绝缘 极驱动电路 MOSFET 导电机制 制电路 功率场效应晶体管 开关损耗 电流密度
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一种用于光隔离IGBT栅极驱动的智能型LED驱动电路 被引量:1
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作者 徐鉴 邓光平 +2 位作者 蒲熙 刘昌举 张继华 《半导体光电》 CAS 北大核心 2024年第1期79-83,共5页
采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件... 采用双极型工艺设计了一种智能型高速LED驱动电路,可用于光隔离IGBT栅极驱动芯片的输入驱动。该设计采用一种新型逻辑门结构来实现信号传输、故障反馈以及外部置位等功能,同时达到降低信号传输延迟时间的目的。测试结果表明,在常温条件下,LED驱动电路的输入信号传输延迟时间为70 ns,复位信号有效到故障消除的延迟时间为4.59μs。所设计的驱动电路能够满足光耦隔离IGBT栅极驱动芯片的使用要求。 展开更多
关键词 绝缘双极型晶体管 双极型工艺 光耦隔离 故障反馈 LED驱动电路
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特斯拉Model S驱动系统的结构与工作原理解析(四)
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作者 蔡元兵 《汽车维修与保养》 2024年第3期55-57,共3页
(接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的... (接上期)6.IGBT的概念与结构特性IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管是由GTR(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 展开更多
关键词 绝缘双极型晶体管 功率半导体器件 饱和压降 开关速度 场效应管 双极型三极管 GTR 高输入阻抗
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可弥补EXB841及M57962AL缺陷的IGBT驱动器HL402B 被引量:1
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作者 李宏 朱贵 刘昱 《电工技术杂志》 2004年第7期83-85,41,共4页
分析对照了IGBT驱动器HL4 0 2B、EXB84 1及M5 796 2AL的参数、性能 ,证明HL4 0
关键词 IGBT驱动器 HL402B EXB841 M57962AL 绝缘栅控双极型晶体管
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SiC新一代电力电子器件的进展 被引量:26
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作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期81-88,共8页
以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率... 以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体材料的突破给发展新一代电力电子带来希望。SiC材料具有比Si材料更高的击穿场强、更高的载流子饱和速度和更高的热导率,使SiC电力电子器件比Si的同类器件具有关断电压高、导通电阻小、开关频率高、效率高和高温性能好的特点。SiC电力电子器件将成为兆瓦电子学和绿色能源发展的重要基础之一。综述了SiC新一代电力电子器件的发展历程、现状、关键技术突破和应用研究。所评估的器件包含SiC SBD、SiC pin二极管、SiC JBS二极管、SiC MOFET、SiC IGBT、SiC GTO晶闸管、SiC JFET和SiC BJT。器件的评估重点是外延材料的结构、器件结构优化、器件性能、可靠性和应用特点。最后总结了新世纪以来SiC新一代电力电子器件的技术进步的亮点并展望了其技术未来发展的趋势。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基二极管 PIN二极管 金属氧化物场效应管 绝缘双极晶体管 关断晶闸管 结型场效应管 双极型晶体管
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应用IGBT的PWM功率驱动源 被引量:4
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作者 李明全 黄树辅 《光电工程》 CAS CSCD 1998年第2期58-61,共4页
概述了桥式脉冲宽度调制(PWM)功率源的工作原理,以及开关元件IGBT的驱动、过压、过流保护等问题。应用IGBT的PWM功率源,输出电压达160V,脉冲电流160A,峰值功率达25kW,重量小于10kg。
关键词 功率源 脉宽调制 绝缘双极晶体管
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IGBT的发展现状及应用 被引量:11
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作者 李恩玲 周如培 《半导体杂志》 1998年第3期48-51,共4页
介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构,工作原理及其在国内外的发展现状,并阐述了IGBT的独特性能及其在电力电子领域的应用。
关键词 绝缘 双极型晶体管 IGBT 功率器件
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高压IGBT制造技术的最新动向 被引量:4
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作者 张昌利 陈治明 《半导体情报》 1997年第5期46-50,共5页
阐述了当前2.5~4.5kV高压IGBT的最新制造技术和典型器件结构,认为高压大电流IGBT器件的开发成功将为未来电力电子技术的发展提供新的机遇和挑战。
关键词 电力电子技术 绝缘 双极型晶体管 IGBT
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IGBT在脉冲功率预调器中的应用
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作者 李网生 周松柏 牛力伟 《现代雷达》 CSCD 1996年第3期86-90,共5页
介绍了一种使用绝缘栅控双极型晶体管(IGBT)设计的脉冲功率预调器,它使用在某雷达发射管测试台中。对预调器各部分组成和工作原理作了叙述,并给出了实验结果。
关键词 绝缘 双极型晶体管 脉冲功率预调器
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IGBT器件的发展 被引量:10
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作者 戚丽娜 张景超 +1 位作者 刘利峰 赵善麒 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2012年第12期34-38,共5页
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点。若想继续提升IGBT性能和可... 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点。若想继续提升IGBT性能和可靠性,不断降低IGBT制造成本,让国产IGBT跟上世界领先水平,需深刻理解IGBT的发展历程,清晰认识自身的优势与不足,透彻掌握领先技术的精髓,投入更多人力、物力研发新方法、新材料,时刻关注世界领先厂家的发展方向及业界需要。在此主要阐述了IGBT的发展历程、国内外现状、目前一些先进的技术方法和新材料及今后的发展方向。 展开更多
关键词 绝缘双极型晶体管 双极型晶体管 安全工作区
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飞速发展的电力电子技术
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作者 瞿文龙 《中国集成电路》 2003年第49期1-4,10,共5页
半导体器件的出现为电子学的发展开辟了一个新纪元。电子学包含两个分支:微电子学和电力电子学。微电子学的一个发展趋势是半导体器件做得越来越小,集成度越来越高。而电力电子学的一个重要发展方向是器件朝大容量发展。微电子技术以信... 半导体器件的出现为电子学的发展开辟了一个新纪元。电子学包含两个分支:微电子学和电力电子学。微电子学的一个发展趋势是半导体器件做得越来越小,集成度越来越高。而电力电子学的一个重要发展方向是器件朝大容量发展。微电子技术以信息处理为对象;而电力电子技术以电能处理为对象。电力电子是将输入端电源通过静止的方法对其进行有效的变换、控制和调节使其达到输出端要求的一门技术。微电子技术的迅猛发展带来了计算机。 展开更多
关键词 电力电子技术 半导体器件 二极管 门极可关断晶闸管 绝缘双极型晶体管 功率场效应管 双极型晶体管 电力系统 电源 电力传动
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MCT与Clustered IGBT在大功率应用中的比较研究 被引量:1
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作者 彭朝飞 陈万军 +2 位作者 孙瑞泽 阮建新 张波 《电子与封装》 2014年第6期32-36,共5页
针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安... 针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管(MCT)和组合式绝缘栅晶体管(CIGBT),采用数值仿真软件进行了比较研究。静态仿真结果表明MCT具有更低的正向压降,只有CIGBT的50%左右,而CIGBT得益于其电流饱和特性,具有更大的短路安全工作区。开关仿真结果表明CIGBT具有比MCT更短的关断时间和更小的关断能量,更适合应用于高频领域。同时研究了MCT和CIGBT在脉冲放电应用中的特性,结果表明MCT具有更大的脉冲峰值电流和更快的电流上升率,并首次论证了脉冲放电过程中器件物理机制的区别。 展开更多
关键词 组合式绝缘晶体管 晶闸管 大功率应用 脉冲放电
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轨道交通用750A/6500V高功率密度IGBT模块 被引量:10
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作者 刘国友 罗海辉 +2 位作者 李群锋 黄建伟 覃荣震 《机车电传动》 北大核心 2016年第6期21-26,共6页
通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS^+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT^+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关... 通态损耗及开关损耗的降低是高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)设计与制造的关键。基于"U"形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS^+)元胞结构、增强型受控缓冲层(CPT^+)及横向变掺杂集电极(VLDC)技术、横向变掺杂(VLD)终端结构等关键技术,研发了具有低通态损耗的6 500 V平面栅IGBT芯片及其配套快恢复二极管(FRD)芯片。将IGBT及FRD芯片封装成750 A/6 500 V IGBT模块并对其进行测试、试验,其动、静态特性与安全工作区(SOA)性能优良,满足我国高速动车组、大功率机车等轨道交通牵引的应用要求。 展开更多
关键词 绝缘双极晶体管 “U”形增强型双扩散金属氧化物半导体 增强型受缓冲层 横向变掺杂集电极 750 A/6 500 V IGBT模块 轨道交通
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具有先进保护功能的新型IGBT门极驱动器集成电路 被引量:3
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作者 L.Dulau 杨进峰(译) 陈燕平(校) 《变流技术与电力牵引》 2006年第5期26-30,39,共6页
论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对... 论述了IGBT门极驱动器设计新方案,它具有先进的保护功能,如元件采用双电平开通以减小峰值电流,采用双电平关断以限制过电压,以及防止出现桥臂贯通的有源密勒箝位。此外还介绍一种包括双电平关断驱动器和有源密勒箝位功能的新电路,并对所述功能的试验及结果进行阐述,重点介绍双电平关断驱动器的中间电平对IGBT过电压的影响。 展开更多
关键词 有源密勒箝位 双极型CMOS DMOS(BCD) 桥臂贯通 绝缘双极型晶体管(IGBT) 过冲 峰值电流 双电平驱动器
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600Hz高抗干扰的尖脉冲发生器
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作者 张传胜 《黑龙江电子技术》 1999年第1期1-2,35,共3页
应用红外光电耦合器、开关电源技术、功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采集600Hz旋转火花开关的火花隙绝缘强度的同步变化信号,通过抗干扰信号处理得到放大功率,经过一个特殊的高压脉冲变压器,获得微秒级的同步高压脉冲的... 应用红外光电耦合器、开关电源技术、功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采集600Hz旋转火花开关的火花隙绝缘强度的同步变化信号,通过抗干扰信号处理得到放大功率,经过一个特殊的高压脉冲变压器,获得微秒级的同步高压脉冲的输出。控制电路采用全数字控制方式,提高了激励器的抗干扰能力。实际运行表明,该电路抗干扰能力强,可靠性高,工作稳定,证明了IGBT能够在很恶劣的环境中使用。 展开更多
关键词 功率绝缘 双极型晶体管 IGBT 尖脉冲发生器
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Control Strategies for PM Synchronous Machine Controlled Rectifier Intended for Heavy-Duty Vehicle 被引量:1
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作者 Alexandre De Bernardinis 《Journal of Energy and Power Engineering》 2013年第3期552-570,共19页
In order to charge batteries and supply all the electrical devices like wheel-motors used in a heavy-duty hybrid electric vehicle, a solution consists in using an assembly permanent magnet generator driven by a diesel... In order to charge batteries and supply all the electrical devices like wheel-motors used in a heavy-duty hybrid electric vehicle, a solution consists in using an assembly permanent magnet generator driven by a diesel engine and a three-phase insulated gate bipolar transistor/diodes bridge controlled rectifier connected to the battery. In this work, hysteresis current control strategies combined with a judicious current sensing mode for the assembly permanent magnet synchronous machine-controlled rectifier are investigated. Main issues first concern the different kinds of transistors switching modes allowed by the proposed current sensing mode when the machine operates either as a generator or as a motor. Second, the modulated hysteresis method is presented, which merges the performances of robustness and dynamic of the classical hysteresis method and imposes the switching frequency alike pulsewidth modulation techniques. A test bench at reduced power permits to test the switching modes as well as classical and modulated hysteresis methods for both motor and generator operating modes and to validate the simulation predictions. The digital signal processor algorithm elaborated for the control strategy is flexible and adaptable to all kinds of transistor switchings and machine operating modes. 展开更多
关键词 Hysteresis current control modulated hysteresis method PM synchronous machine hybrid electric vehicle.
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西南地区首颗自研自产IGBT元件年内将量产
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《变频器世界》 2022年第8期58-58,共1页
据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管... 据重庆日报报道,重庆万国半导体科技有限公司(以下简称“重庆万国”)已成功造出西南地区首颗独立开发、设计并自行完成晶圆制造与封装测试的IGBT元件。目前该IGBT元件通过用户试用,预计今年年内实现量产。IGBT元件是绝缘栅双极型晶体管的英文名缩写,是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管,组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 展开更多
关键词 绝缘双极型晶体管 功率半导体器件 场效应管 IGBT元件 晶圆制造 双极型三极管 封装测试 重庆日报
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功率IGBT的驱动保护及其应用技术 被引量:5
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作者 施涛昌 《电子技术(上海)》 北大核心 1996年第7期12-14,共3页
文章叙述了功率绝缘栅控双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,同时根据这些要求给出了几种功率IGBT的实用驱动和保护电路的应用实例.
关键词 绝缘 双极性晶体管 驱动电路 保护电路 IGBT
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