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CMOS器件自锁现象的探讨
1
作者
郏东耀
杨雷
吕英杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期72-74,共3页
结合最近开发的绝缘油耐压测试仪中出现的CMOS自锁现象,系统分析了在电路设计中尤其是强电磁场等特殊环境下普遍存在的CMOS器件自锁现象产生的机理、触发条件和原因,并提出了抑制该类干扰的各种措施。
关键词
CMOS器件
自锁现象
SCR
双结型寄生晶闸管
绝缘油压测试仪
电子设计
下载PDF
职称材料
题名
CMOS器件自锁现象的探讨
1
作者
郏东耀
杨雷
吕英杰
机构
郑州大学物理工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第3期72-74,共3页
文摘
结合最近开发的绝缘油耐压测试仪中出现的CMOS自锁现象,系统分析了在电路设计中尤其是强电磁场等特殊环境下普遍存在的CMOS器件自锁现象产生的机理、触发条件和原因,并提出了抑制该类干扰的各种措施。
关键词
CMOS器件
自锁现象
SCR
双结型寄生晶闸管
绝缘油压测试仪
电子设计
Keywords
CMOS
SCR(Silicon Controlled Rectifier)
double knotting autoecious transistor
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS器件自锁现象的探讨
郏东耀
杨雷
吕英杰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002
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