Fabrication of thick BOX SOI by Smart-cut technology

A SOI material with thick BOX (2.2 μm) was successfully fabricated using the Smart-cut technology. The thick BOX SOI microstructures were investigated by high resolution cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM), while the electrical properties were studied by the spreading resistance profile (SRP). Experimental results demonstrate that both structural and electrical properties of the SOI structure are very good.

Reduction of self-heating effect in SOI MOSFET by forming a new buried layer structure

An inherent self-heating effect of the silicon-on-insulator (SOI) devices limits their application at high current levels. In this paper a novel solution to reduce the self-heating effect is proposed, based on N+ and O+ co-implantation into silicon wafer to form a new buried layer structure. This new structure was simulated using Medici program, and the temperature distribution and output characteristics were compared with those of the conventional SOI counterparts. As expected, a reduction of self-heating effect in the novel SOI device was observed.

飞思卡尔推出低功率、高性能45nm PowerQUICC处理器

飞思卡尔采用45nm制造技术推出了高性能、低功率的MPC8569E PowerQUICC Ⅲ通信处理器。这款通信处理器是基于45nm绝缘硅片（SOI）技术的高性能、低功率器件，是先进的无线和有线通信设备应用的理想之选。它支持各种无线协议，同时可在小于10W功率范围内提供高达1．3GHz的性能。

MPC8569E:45nm PowerQUICC Ⅲ通信处理器

飞思卡尔半导体推出了MPC8569E PowerQUICCⅢ通信处理器——这是基于45nm的绝缘硅片（SOI）技术的高性能、低功率器件。这个处理器是先进的无线和有线通信设备应用的理想之选。它支持各种无线协议，同时可在Sub-10瓦特功率包范围提供高达1．3Gigahertz的性能。

低功耗、高性能、高灵活性的通信处理器

MPC8569 E Power-QUICC III通信处理器基于45nm的绝缘硅片（SOI）技术，适合用于先进的无线和有线通信设备，支持各种无线协议。

守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期

FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的。由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽。此外,薄氧化埋层使得基底偏压功能可以满足功耗/性能以及成本要求。相比传统的硅CMOS（bulk COMS）工艺技术来说，FD-SOI结构可以很好地解决晶体管大规模集成到一定数量后的漏电问题，从而进一步推进摩尔定律发展。

狭缝波导硅基微环生物传感器特性分析

研究了一种基于绝缘体上硅片(SOI)的半径为5μm的狭缝波导微环无标记生物传感器,其检测原理是利用了周围的环境发生变化导致传感器输出端口的响应曲线的谐振峰位置发生漂移这一特性。基于时域有限差分法(FDTD)对器件几何参数优化和传感特性分析,结果表明,在微环谐振腔的耦合长度为3μm、耦合间距为80 nm、侧向失配量为-5nm、非对称系数为0.5时,传感器的灵敏度大小可达5 94nm/RIU,相对于传统微环传感器的灵敏度提高了8倍以上,相应的自由光谱范围是25.6 nm,品质因子为430。最终实现的传感器尺寸极小,可达到25×15μm2量级。

基于全介质共振域光栅的偏振器件设计与制备

基于共振域光栅的特性,采用商用绝缘硅片设计并制备了一种用于近红外通信波段的高性能偏振器件。在1.460~1.625μm的波长范围内,利用时域有限差分算法设计了一种周期为0.98μm的全介质共振域光栅,该光栅的消光比最大值为55 dB。根据设计结果,采用电子束直写曝光技术对该偏振光栅进行了实验制备,并进行偏振性能测试。结果表明,该光栅的横向磁场偏振光透过率约在80%以上,消光比在20 dB以上,最大值可达到32 dB,与仿真结果基本一致。相比于传统亚波长金属光栅的周期需要小于1/4入射光波长才能起偏的性质,该偏振光栅在周期为近波长的条件下即有较好的偏振性能,在制备上降低了光刻工艺的难度。此外,该偏振器件是基于商用绝缘硅片制备,与现有的成熟半导体工艺兼容,具有较强的集成性和实用性。