非晶硅缓冲层在具有Al_2O_3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

ＳｉＧｅ 合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度， 比Ｓｉ 更适合用作薄膜晶体管（ ＴＦＴ） 。最近，我们已证实，利用Ａｌ２Ｏ３ 作多晶ＳｉＧｅ ＴＦＴ的门绝缘子，可使界面得到显著改善。虽然已经证明，由Ｓｉ 缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２ 可改善界面质量，但是还不清楚在ＳｉＧｅ 有源层与Ａｌ２Ｏ３ 门电介质之间插入一α＿Ｓｉ 缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中，对于有、无α＿Ｓｉ 缓冲层的多晶ＳｉＧｅ ＴＦＴ

轨道交通屏蔽门绝缘问题的研究及整改方案

对轨道交通屏蔽门系统出现的绝缘问题进行了统计,从外部环境与内部连接两方面详细分析了轨道交通屏蔽门绝缘问题的成因从控制技术、绝缘技术、整改措施三个层面提出了整改方案,尤其在泄漏电流监控装置的实际应用方面作了相关描述。

城轨屏蔽门绝缘状态对回流安全参数的影响研究

城轨直流牵引供电系统回流安全问题逐渐成为目前的重点研究之一,然而与走行轨等电位连接的屏蔽门往往因绝缘不理想而对线路回流安全参数的分布造成影响。针对屏蔽门绝缘状态对城轨回流安全参数的影响,建立了多列车动态潮流仿真模型,并基于无锡地铁2号线的数据进行了仿真分析。结果表明,屏蔽门绝缘状态薄弱将导致线路回流安全参数明显增加,威胁周边设备及人员安全。当两处屏蔽门绝缘薄弱时,将形成杂散电流的泄漏回路,加剧回流安全参数的异常升高,且屏蔽门绝缘阻值越低,线路钢轨电位幅值越低,但杂散电流水平越高。此外,多个屏蔽门绝缘薄弱时,线路回流安全参数将急剧增加,对周边设备以及乘客、工作人员的安全造成严重威胁。

城市轨道交通屏蔽门绝缘安全的研究

论文针对城市轨道交通屏蔽门绝缘设计原理进行分析,结合施工安装、运营环境等方面对屏蔽门绝缘安全的影响,对存在的绝缘安全隐患进行探讨,通过研究跨步电压的影响与等电位联结的利弊,提高屏蔽门系统的绝缘安全可靠度,提升城市轨道交通运输的稳定性。

地铁站台屏蔽门整体复合绝缘层施工技术

本文结合昆明市轨道交通 4 号线站台屏蔽门系统绝缘层工程,为了防止屏蔽门前跨步电压对乘客造成人身伤害,屏蔽门前绝缘层的绝缘性能高低尤为重要。 如何在工期紧张时确保绝缘层施工质量且便于维修,是技术人员一直探索的问题。 本文通过推广应用新型绝缘材料,改进绝缘层结构,达到加快施工进度、保证施工质量和便于维修之目的。

青岛地铁站台门打火原因分析及应对措施

该文介绍了青岛地铁2号线站台门打火事件的调查经过,结合现场调查情况以及站台视频监控、FAS、钢轨电位限制装置等系统,对故障发生时的时间、打火位置等信息进行了分析,确定了站台门打火事件发生的主要原因。对于站台门系统采用与回流轨等电位连接的城市轨道交通线路,提出了防止打火的应对措施,包括对既有线路的改造措施和新建线路的防范措施,通过提高站台门绝缘效果、取消站台门与回流轨的等电位连接线的方式,保障乘客安全和乘车舒适度。

地铁屏蔽门打火分析及其解决措施探索

目前国内地铁屏蔽门基本均采用绝缘设计,并将门体与轨道等电位连接,避免因列车车体与安全门间可能会出现的电位差给上下车的乘客造成危害或带来不适,但由于受施工工艺、潮气环境、金属灰尘等因素影响,绝缘极易失效,带来火花放电、杂散电流影响安全门寿命等不良后果。本研究课题主要对屏蔽门绝缘情况和影响因素进行分析,并对屏蔽门绝缘结构方案进行探寻,为地铁的安全运营提供保障。

IGBT焊接电源及微机控制技术的应用与发展

介绍了自20世纪90年代以来微机控制技术在绝缘门双极晶体管(IsolatedGateBipolarTransistor,简称IGBT)逆变式焊接电源中的应用情况,论述了不同时期对IGBT逆变式焊接电源所实施的控制方法,并对IGBT逆变式焊接电源的发展提出几点建议。

一种新型单电源IGBT驱动电路

通过分析几种常用IGBT驱动模块电路的优缺点,结合IGBT对可靠性驱动的要求,提出了一种新型的IGBT驱动方案。它采用单电源供电,能够产生负栅压,使用脉冲变压器隔离,无需提供单独的浮地电源便可产生两路脉宽可调的驱动脉冲。最后通过实验给出了实验波形。根据实验波形,证明了此方案具有实用性强、简单可靠等优点。

DF-100A型PSM短波发射机的几种专用元件

本文叙述了PSM短波发射机的4种专用元件。

IGBT的工作原理及检修

描述了TCT -300/EZCT机中绝缘门双向晶体管的工作原理及故障检测程序 。

为未来汽车充电

电动汽车已经出现二十多年了，虽然其性能不断提高，但在路上还是很难见到它们，最近科技的突破也许能改变这些。

d^0过渡金属化合物对氧气反应性:合成和反应机理研究

众所周知,过渡金属如卟啉中的铁与氧气的结合和反应对许多生物功能和催化氧化至关重要.在这些反应中,过渡金属一般含d价电子,并且金属被氧化往往是其中一个重要的反应步骤.近年来,氧气与d0过渡金属化合物如Hf(NR2)4(R=烷基)的反应被广泛用来制备金属氧化物薄膜以作为新型微电子器件中的栅(门)绝缘材料.这篇专题文章讨论我们近期对这些反应以及TiO2薄膜形成的研究.在许多氧气与dn过渡金属化合物的反应中,总是金属被氧化.然而,在d0过渡金属化合物如Hf(NMe2)4和Ta(NMe2)4(SiR3)与氧气的反应中通常是配体被氧化.如—NMe2和—SiR3配体分别形成了—ONMe2和—OSiR3配体.反应机理和理论方面的研究显示了微电子金属氧化物薄膜形成的途径.