施主能级分裂下的电子分布函数改进

在半导体材料中,谷轨道耦合作用使得施主能级发生分裂(Valley-orbit splitting)。通过引进电子在分裂能级上的配分函数和综合平均能量增量,得到了适用于施主能级分裂的分布函数。利用新得到的分布函数对掺As的Si和含N的6H-SiC进行最小二乘曲线拟合,得到的杂质热电离能与光电离能完全吻合。