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具有新型空穴缓冲层材料TiO_2的有机薄膜发光器件 被引量:3
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作者 张志峰 邓振波 +5 位作者 鲁成祝 徐登辉 张梦欣 梁春军 林鹏 刘青宜 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期520-523,共4页
以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为... 以溶胶凝胶法制备的TiO2作为空穴缓冲层,在结构为ITO/TiO2/NPB/Alq/LiF/Al的器件中,改善了器件的发光效率。研究了TiO2厚度对器件发光特性的影响。在电流密度为100mA/cm2时,有缓冲层的器件发光效率为5cd/A,而没有缓冲层的器件发光效率为3.45cd/A,有TiO2缓冲层的器件发光效率有了明显提高。 展开更多
关键词 有机电致发光 TIO2 Sol—gel法 二氧化钛 空穴缓冲层材料
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铁电场效应晶体管材料设计的研究进展
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作者 高武 李星星 +2 位作者 刘礼祥 张志伟 郭伟钦 《信息记录材料》 2023年第2期28-31,36,共5页
铁电场效应晶体管(FeFET)作为最有潜力的下一代非易失性存储器之一,引起研究人员的广泛关注。本文系统阐述了Fe FET的工作原理及结构设计,介绍了Fe FET结构中铁电材料和缓冲层材料的探索历程及所对应的器件性能。本文提出了一种新型Fe ... 铁电场效应晶体管(FeFET)作为最有潜力的下一代非易失性存储器之一,引起研究人员的广泛关注。本文系统阐述了Fe FET的工作原理及结构设计,介绍了Fe FET结构中铁电材料和缓冲层材料的探索历程及所对应的器件性能。本文提出了一种新型Fe FET结构设计,有望改善薄膜之间的界面效应。最后总结了Fe FET的研究进展,并对未来研究做出展望。 展开更多
关键词 铁电场效应晶体管 非易失性存储器 铁电材料 缓冲层材料 界面效应 薄膜 结构设计 器件性能
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ZnO/SiC/Si异质结构的特性 被引量:2
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作者 段理 林碧霞 +1 位作者 姚然 傅竹西 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期259-261,共3页
用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(... 用MOCVD方法在P型单晶Si(100)基片上外延SiC层,再用直流溅射在SiC层上生长ZnO薄膜,制备出 ZnO/SiC/Si异质结构,用XRD和AFM分析了ZnO/SiC/Si和ZnO/Si异质结构中表层ZnO的结构和形貌的差别,研究了这种异质结构的特性.结果表明,在Si(100)基片上外延生长出的是高取向、高结晶质量的SiC(100)层.这个SiC层缓冲层使在Si基片上外延生长出了高质量ZnO薄膜,因为ZnO与SiC的晶格失配比ZnO与Si的晶格失配更低. 展开更多
关键词 无机非金属材料 ZnO薄膜 SiC缓冲 异质外延 结构特性
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酞菁类金属化合物在有机太阳能电池中的应用 被引量:3
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作者 杜文强 苏斌 +1 位作者 田沛东 车广波 《吉林师范大学学报(自然科学版)》 2015年第1期42-49,共8页
目前,酞菁类金属化合物在有机太阳能电池中应用广泛,其本身具有优良的光电性,不同取代基的加入使得所形成的化合物具有不同的性质.本文综述了近年来酞菁类金属化合物在有机太阳能电池方面的应用,包括其作为给受体、阴阳极缓冲层材料及... 目前,酞菁类金属化合物在有机太阳能电池中应用广泛,其本身具有优良的光电性,不同取代基的加入使得所形成的化合物具有不同的性质.本文综述了近年来酞菁类金属化合物在有机太阳能电池方面的应用,包括其作为给受体、阴阳极缓冲层材料及对器件光电转换效率和寿命的影响.为酞菁类金属化合物在有机太阳能电池方面应用拓宽了思路,并对日后的研究提出了展望. 展开更多
关键词 有机太阳能电池 酞菁类金属化合物 给体材料 受体材料 缓冲层材料
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Selective Growth of ZnO Nanorods on SiO2/Si Substrates Using a Graphene Buffer Layer
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作者 Won Mook Choi Kyung-Sik Shin +6 位作者 Hyo Sug Lee Dukhyun Choi Kihong Kim Hyeon-Jin Shin Seon-Mi Yoon Jae-Young Choi Sang-Woo Kim 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第5期440-447,共8页
A promising strategy for the selective growth of ZnO nanorods on SiO2/Si substrates using a graphene buffer layer in a low temperature solution process is described. High densities of ZnO nanorods were grown over a la... A promising strategy for the selective growth of ZnO nanorods on SiO2/Si substrates using a graphene buffer layer in a low temperature solution process is described. High densities of ZnO nanorods were grown over a large area and most ZnO nanorods were vertically well-aligned on graphene. Furthermore, selective growth of ZnO nanorods on graphene was realized by applying a simple mechanical treatment, since ZnO nanorods formed on graphene are mechanically stable on an atomic level. These results were confirmed by first principles calculations which showed that the ZnO-graphene binding has a low destabilization energy. In addition, it was found that ZnO nanorods grown on SiO2/Si with a graphene buffer layer have better optical properties than ZnO nanorods grown on bare SiO2/Si. The nanostructured ZnO-graphene materials have promising applications in future flexible electronic and optical devices. 展开更多
关键词 GRAPHENE ZnO nanorod HETEROJUNCTION selective growth solution
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