0.5μm OTP工艺开发与器件特性研究

文章对0.5μm一次编程存储器(OTP)存储单元的器件结构、工艺流程、存储单元器件特性及可靠性提高等方面进行了研究。在一定的编程条件下,编程0.1ms时器件的阈值电压能够大于6V,控制栅或漏极加电压10s时阈值电压退化量小于0.1V,因此器件的编程速度和编程串扰特性能够满足要求。通过改善浮栅和控制栅层间介质氧化硅-氮化硅-氧化硅(ONO)的质量及采用存储单元覆盖氮化硅保护层等优化措施,存储单元的数据保持能力能够大于10年。