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MTM反熔丝单元编程特性研究 被引量:3
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作者 王印权 刘国柱 +2 位作者 徐海铭 郑若成 洪根深 《电子与封装》 2015年第3期35-37,48,共4页
主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻... 主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。 展开更多
关键词 MTM反熔丝单元 编程电阻 编程电压 编程次数
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