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MTM反熔丝单元编程特性研究
被引量:
3
1
作者
王印权
刘国柱
+2 位作者
徐海铭
郑若成
洪根深
《电子与封装》
2015年第3期35-37,48,共4页
主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻...
主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。
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关键词
MTM反熔丝单元
编程
电阻
编程
电压
编程次数
下载PDF
职称材料
题名
MTM反熔丝单元编程特性研究
被引量:
3
1
作者
王印权
刘国柱
徐海铭
郑若成
洪根深
机构
中国电子科技集团公司第
出处
《电子与封装》
2015年第3期35-37,48,共4页
文摘
主要研究了编程参数对MTM反熔丝单元编程特性的影响,包括编程电压、编程电流、编程次数等。结果表明在满足最低编程电压条件下,编程电压的增大对反熔丝编程电阻无显著影响。编程电流对编程电阻的影响较大,编程电流越大,反熔丝编程电阻越小。编程次数的增多可减小编程电阻,但离散性增大。
关键词
MTM反熔丝单元
编程
电阻
编程
电压
编程次数
Keywords
MTM antifuse cell
on-state resistance
programming voltage
programming times
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
MTM反熔丝单元编程特性研究
王印权
刘国柱
徐海铭
郑若成
洪根深
《电子与封装》
2015
3
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