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HfC_x缺位陶瓷的价电子结构与性能 被引量:1
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作者 李金平 孟松鹤 +1 位作者 张幸红 梁军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1718-1721,共4页
HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较。结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶... HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较。结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶体的晶胞常数逐渐缩小,最强共价键数、最强共价键键能、共价键数百分比逐渐减小,表明硬度、强度、结合能、熔点都逐渐下降;金属性逐渐增加,固溶体的韧性、导电性能、烧结性能逐渐改善。 展开更多
关键词 HfCx 缺位固溶体 EET 价电子结构 性能
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非晶态Fe-B-Si合金系激波晶化研究
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作者 刘应开 周效峰 刘佐权 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第S1期147-150,153,共5页
以大量非晶态FeBSi合金系晶化实验为基础,研究了非晶合金激波晶化的特点,并把激波晶化与常压、静态高压下非晶退火晶化作对比.
关键词 Fe-B-Si非晶合金系 激波晶化 退火晶化 高压变态 缺位固溶体
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