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HfC_x缺位陶瓷的价电子结构与性能
被引量:
1
1
作者
李金平
孟松鹤
+1 位作者
张幸红
梁军
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期1718-1721,共4页
HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较。结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶...
HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较。结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶体的晶胞常数逐渐缩小,最强共价键数、最强共价键键能、共价键数百分比逐渐减小,表明硬度、强度、结合能、熔点都逐渐下降;金属性逐渐增加,固溶体的韧性、导电性能、烧结性能逐渐改善。
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关键词
HfCx
缺位固溶体
EET
价电子结构
性能
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职称材料
非晶态Fe-B-Si合金系激波晶化研究
2
作者
刘应开
周效峰
刘佐权
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1998年第S1期147-150,153,共5页
以大量非晶态FeBSi合金系晶化实验为基础,研究了非晶合金激波晶化的特点,并把激波晶化与常压、静态高压下非晶退火晶化作对比.
关键词
Fe-B-Si非晶合金系
激波晶化
退火晶化
高压变态
缺位固溶体
原文传递
题名
HfC_x缺位陶瓷的价电子结构与性能
被引量:
1
1
作者
李金平
孟松鹤
张幸红
梁军
机构
哈尔滨工业大学
出处
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009年第10期1718-1721,共4页
基金
国家自然科学基金重点项目(90505015)
文摘
HfC在制备或服役过程中易出现C的缺位生成HfCx缺位固溶体,为了预报该固溶体的宏观性能,采用固体与分子经验电子理论(EET),对缺位固溶体的价电子结构进行分析,并与HfC基体进行比较。结果表明,随着x值的减小,即C原子缺位的增加,HfCx固溶体的晶胞常数逐渐缩小,最强共价键数、最强共价键键能、共价键数百分比逐渐减小,表明硬度、强度、结合能、熔点都逐渐下降;金属性逐渐增加,固溶体的韧性、导电性能、烧结性能逐渐改善。
关键词
HfCx
缺位固溶体
EET
价电子结构
性能
Keywords
HfCx
absent solid-solutions
EET
valence electron structure
properties
分类号
TQ174.75 [化学工程—陶瓷工业]
下载PDF
职称材料
题名
非晶态Fe-B-Si合金系激波晶化研究
2
作者
刘应开
周效峰
刘佐权
机构
云南师范大学
曲靖高等师范专科学校
云南大学
出处
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1998年第S1期147-150,153,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
以大量非晶态FeBSi合金系晶化实验为基础,研究了非晶合金激波晶化的特点,并把激波晶化与常压、静态高压下非晶退火晶化作对比.
关键词
Fe-B-Si非晶合金系
激波晶化
退火晶化
高压变态
缺位固溶体
Keywords
Fe B Si amorphous alloys,shock wave crystallization,annealed crystallization,transformation under high hydrostatic pressure,omission solid solution
分类号
O751 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
HfC_x缺位陶瓷的价电子结构与性能
李金平
孟松鹤
张幸红
梁军
《稀有金属材料与工程》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2009
1
下载PDF
职称材料
2
非晶态Fe-B-Si合金系激波晶化研究
刘应开
周效峰
刘佐权
《云南大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
1998
0
原文传递
已选择
0
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导出题录
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参考文献
引证文献
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