提拉法生长大尺寸γ-LiAlO_2单晶的研究(英文)

由于与GaN晶格失配小(约1. 4% ),γLiAlO2 单晶有望成为一种很有希望的GaN外延衬底材料。本文使用提拉法生长出了尺寸达45×50mm3 的γLiAlO2 单晶。对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8 )。γLiAlO2 晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解。当在空气中于1100℃退火70h,γLiAlO2 晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8 )。值得注意的是,在γLiAlO2 晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带。