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基于DGS与半集总结构的新型LTCC超宽带滤波器 被引量:1
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作者 戴永胜 郭风英 韩群飞 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第4期87-90,共4页
设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的新型超宽带(UWB,)带通滤波器。该款滤波器结合了半集总高通结构与缺陷地(DGS)结构,利用半集总结构实现截止频率为3.1GHz的高通滤波器,再结合DGS在高端产生阻带,从而实现通带为3.1~10.6GHz的带... 设计了一款基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术的新型超宽带(UWB,)带通滤波器。该款滤波器结合了半集总高通结构与缺陷地(DGS)结构,利用半集总结构实现截止频率为3.1GHz的高通滤波器,再结合DGS在高端产生阻带,从而实现通带为3.1~10.6GHz的带通滤波器,尺寸仅为3.2mm×1.6mm×1.2mm。实测结果表明:插入损耗<1.5dB,反射损耗<12dB,群时延<0.8ns,带外抑制>15dB(11.5~17GHz)。测试与仿真结果较为吻合。此种LTCC滤波器结构具有尺寸小、插损小、群时延小等优点,而且结构简单,带宽和中心频率容易控制,相对带宽可做到150%以上,特别适合用于极宽带通信系统的频率选择。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷(LTCC) 超宽带(UWB) 缺陷地(dgs) 半集总
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