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屏蔽室屏蔽效能测量的关键技术分析
被引量:
3
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作者
周婧洁
《计量与测试技术》
2019年第2期77-78,80,共3页
本文介绍了屏蔽室屏蔽效能的测量方法,根据作者工作经验阐述了测量过程中的一些关键技术和难点,同时对屏蔽室的使用提出相应的建议。
关键词
屏蔽
室
屏蔽
效能
屏蔽
缺陷
谐振频率
动态范围
下载PDF
职称材料
界面涂层对特高压GIS盆式绝缘子导体-绝缘盆体界面处电场调控
被引量:
13
2
作者
王闯
赵朗
+3 位作者
孙青
王德意
卜越
彭宗仁
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期799-806,共8页
为了解决在特高压盆式绝缘子运行过程中,因中心导体与盆体绝缘材料性能差异引起的界面烧蚀破坏现象,对绝缘材料界面处的场强集中效应进行了研究。首先以特高压交流盆式绝缘子中心导体与盆体绝缘材料之间界面处的场强为研究对象,应用有...
为了解决在特高压盆式绝缘子运行过程中,因中心导体与盆体绝缘材料性能差异引起的界面烧蚀破坏现象,对绝缘材料界面处的场强集中效应进行了研究。首先以特高压交流盆式绝缘子中心导体与盆体绝缘材料之间界面处的场强为研究对象,应用有限元仿真计算分析了特高压盆式绝缘子界面处场强集中的原因,并采用涂覆界面材料的方法对界面处场强集中效应进行抑制。然后建立了含界面涂覆材料的盆式绝缘子模型,并推导出界面层两侧的场强与界面涂覆材料相关参数的关系式,进而得到不同的界面涂覆材料的界面层两侧的场强分布规律。研究结果表明:界面层厚度与缺陷高度相当,且相对介电常数>100时,界面层可以较好地屏蔽导体表面的缺陷;验证了模型的有效性。研究可为界面涂覆材料的设计和选择提供理论依据。
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关键词
特高压
GIS盆式绝缘子
电场强度
缺陷屏蔽
界面涂覆材料
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职称材料
题名
屏蔽室屏蔽效能测量的关键技术分析
被引量:
3
1
作者
周婧洁
机构
南京市计量监督检测院
出处
《计量与测试技术》
2019年第2期77-78,80,共3页
文摘
本文介绍了屏蔽室屏蔽效能的测量方法,根据作者工作经验阐述了测量过程中的一些关键技术和难点,同时对屏蔽室的使用提出相应的建议。
关键词
屏蔽
室
屏蔽
效能
屏蔽
缺陷
谐振频率
动态范围
Keywords
shielding chamber
shieldoing effectiveness
shielding defect
resonance frequency
dynamic range
分类号
U228.25 [交通运输工程—道路与铁道工程]
下载PDF
职称材料
题名
界面涂层对特高压GIS盆式绝缘子导体-绝缘盆体界面处电场调控
被引量:
13
2
作者
王闯
赵朗
孙青
王德意
卜越
彭宗仁
机构
西安理工大学电气工程学院
西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第3期799-806,共8页
基金
国家自然科学基金(51707155)
陕西省自然科学基础研究计划(2018JQ5039).
文摘
为了解决在特高压盆式绝缘子运行过程中,因中心导体与盆体绝缘材料性能差异引起的界面烧蚀破坏现象,对绝缘材料界面处的场强集中效应进行了研究。首先以特高压交流盆式绝缘子中心导体与盆体绝缘材料之间界面处的场强为研究对象,应用有限元仿真计算分析了特高压盆式绝缘子界面处场强集中的原因,并采用涂覆界面材料的方法对界面处场强集中效应进行抑制。然后建立了含界面涂覆材料的盆式绝缘子模型,并推导出界面层两侧的场强与界面涂覆材料相关参数的关系式,进而得到不同的界面涂覆材料的界面层两侧的场强分布规律。研究结果表明:界面层厚度与缺陷高度相当,且相对介电常数>100时,界面层可以较好地屏蔽导体表面的缺陷;验证了模型的有效性。研究可为界面涂覆材料的设计和选择提供理论依据。
关键词
特高压
GIS盆式绝缘子
电场强度
缺陷屏蔽
界面涂覆材料
Keywords
UHV
GIS spacer
electric field strength
defect shielding
interfacial coating material
分类号
TM216 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
屏蔽室屏蔽效能测量的关键技术分析
周婧洁
《计量与测试技术》
2019
3
下载PDF
职称材料
2
界面涂层对特高压GIS盆式绝缘子导体-绝缘盆体界面处电场调控
王闯
赵朗
孙青
王德意
卜越
彭宗仁
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
13
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职称材料
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