考虑缺陷率模型的多项目晶圆布图规划算法

针对随机缺陷会降低多项目晶圆实际产出的问题,提出一种新的多项目晶圆布图规划算法。通过在布图规划中引入缺陷率模型的方法,增加芯片产量的裕量,降低因随机缺陷造成的产量损失。同时优化模拟退火流程,使得在布图尺寸约束条件下,布图规划过程能够跳出局部最优解陷阱。对工业实例进行布图规划的结果表明,该算法能够接受不满足布图尺寸约束条件的中间结果,从而遍历解空间,得到全局最优的布图,并且相对已有算法,使用相同数量晶圆进行切割时,算法的布图结果增加了137%的芯片产量的总裕量,同时,降低了25%的工作芯片所需要生产的晶圆数量。