集成电路硅片上缺陷空间分布的分形表征

本文主要研究集成电路硅片上缺陷的空间分布．在详细考察缺陷空间成团（Ｃｌｕｓｔｅｒ）效应的基础上，提出了一个新的描述缺陷空间分布的量——分数维，并建立了一个结构化的模型．用分数维对缺陷的成团效应及其空间分布进行详细地分析和计算机模拟，并验证了结果的正确性．本文为实现集成电路可制造性设计中的功能成品率精确表征奠定了基础．

基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究

利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺陷在靠近源、漏区的量最大而在远离源、漏区的位置无规则分布。通过改变脉冲保持时间,对缺陷沿高介电常数叠栅垂直分布进行研究,可以明显区分开缺陷在中间介质层和高介电常数层的缺陷量。另外,利用电荷泵技术验证了三维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)与界面缺陷的关系。

基于广义双参数最弱链统计模型分析纤维断裂强度与尺寸的相关性

为探究纤维断裂强度与尺寸之间的相关性,通过一种改进的广义双参数最弱链统计模型分别对不同标距尺寸下聚丙烯腈基碳纤维和黄麻纤维的断裂强度数据进行统一处理.通过引入指数参量β,表征缺陷实际空间分布与理想均匀空间分布条件的偏离程度,将纤维断裂强度和尺寸作为统计参量,得到的纤维失效函数综合反映纤维断裂强度和尺寸对失效概率的影响,较好地描述了纤维断裂强度和尺寸之间的相关性.

65—90nm技术节点的WCA模型和提取算法

在90nm和65nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低.为了提升随机成品率,带权关键面积的(WCA)计算和排序是关键.文中基于数学形态学提出了一种随机缺陷轮廓的WCA新模型,该模型不仅考虑了90nm和65nm工艺中缺陷在布线区域和空白区域的不同密度,而且也考虑了缺陷在粒径上的分布特性;同时还设计并实现了与新模型对应的WCA提取与排序算法,部分版图上的实验结果表明新WCA可以作为版图优化的代价函数,从而为随机缺陷的版图优化提供了精确依据.