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基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究
被引量:
2
1
作者
田阳雨
罗军
+1 位作者
金鹰
吴元芳
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期542-547,共6页
利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得...
利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺陷在靠近源、漏区的量最大而在远离源、漏区的位置无规则分布。通过改变脉冲保持时间,对缺陷沿高介电常数叠栅垂直分布进行研究,可以明显区分开缺陷在中间介质层和高介电常数层的缺陷量。另外,利用电荷泵技术验证了三维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)与界面缺陷的关系。
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关键词
电荷泵技术
缺陷能级分布
缺陷
空间
分布
三维器件
负偏压温度不稳定性(NBTI)
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职称材料
题名
基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究
被引量:
2
1
作者
田阳雨
罗军
金鹰
吴元芳
机构
中国科学院大学微电子学院
中国科学院微电子研究所
中芯国际集成电路制造有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第7期542-547,共6页
基金
国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315001)
文摘
利用传统电荷泵技术对三维立体器件界面缺陷特性进行了研究。通过改变测试脉冲上升或下降时间,分析了三维器件界面缺陷能级分布,得出缺陷能级呈现类似'U'型分布。通过在源、漏区施加不同电压,对缺陷沿沟道水平分布进行研究,得到界面缺陷在靠近源、漏区的量最大而在远离源、漏区的位置无规则分布。通过改变脉冲保持时间,对缺陷沿高介电常数叠栅垂直分布进行研究,可以明显区分开缺陷在中间介质层和高介电常数层的缺陷量。另外,利用电荷泵技术验证了三维器件负偏压温度不稳定性(NBTI)与界面缺陷的关系。
关键词
电荷泵技术
缺陷能级分布
缺陷
空间
分布
三维器件
负偏压温度不稳定性(NBTI)
Keywords
charge pumping technology
defect level distribution
defect space distribution
three-dimensional device
negative bias temperature instability(NBTI)
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于电荷泵技术的三维器件的界面电荷特性研究
田阳雨
罗军
金鹰
吴元芳
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
2
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