高熵合金在透射电镜双束条件下的位错观察

材料的性能取决于材料的内部组织及结构,位错的存在及其运动方式是影响材料力学性能的重要因素。透射电镜利用电子束与样品作用,接收透过样品的电子束或是衍射束成像反应样品内部结构信息。位错周围的晶格畸变导致的透射电镜衍射衬度成像,是位错观察分析的有效手段。透射电镜衍射衬度对晶体结构及其取向很敏感,位错的观察随着电子束入射角度不同,将会呈现不同的特点。透射电镜的双束成像技术有助于获得对位错正确认识。针对高熵合金材料,通过电镜观察操作过程与示意图相结合的阐述方式,结合试验分析过程,详细展示了透射电镜双束成像技术及弱束成像原理步骤及分析。为高校测试室能够充分利用透射电镜对金属材料内部缺陷进行观察和分析提供了具体的实验指导。

Ce:YAP晶体生长和光谱性质

本文报道了用中频感应加热提拉法生长Ce :YAP晶体 ,晶体尺寸为35mm× 80mm。在部分晶体中观察到了开裂、解理、孪晶、云层、核心和生长层等宏观缺陷 ,分析了缺陷与晶体生长温度梯度等因素的关系 。

论我国产品责任制度的最新发展

2010年7月1日开始施行的《侵权责任法》专门单列了一章产品责任的内容,对原有产品责任制度进行了修正及填补。本文将分析和评价前述产品责任发展的新内容。