旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响

研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/Au欧姆接触和Ti/Pt/Au/Ti栅金属的旁栅阈值特性相似,三者都有明显的光敏特性.上述结果为GaAsMESFET数字集成电路版图设计规则的制定提供了可靠依据.

JAVA编程中的易错点分析

本文旨在罗列出在编码过程中极易出错的二处,它们都来自生活中,来自于我们学生日常编码的经验中,这些出错点大多都利用了那些会导致debug的行为,要么违反直觉,要么晦涩难懂,它们被认为是陷阱(trap)、缺陷(deficiency)、和小概率案例(corner case)。任何具有JAVA应用知识的人都可以理解这些谜题,但是其中许多点对大多数师生造成了麻烦,我们通常花费数十个昼夜才能完全解决其中一个。我们探索出的解决方案大多引用了《JAVA语言规范第3版》,有些方案还涉及了对语言和API设计决策的讨论,大多数bug可以通过静态分析(static analysis)检测到。希望我们的总结能让苦恼于JAVA编程的人群更深层次理解这门语言。

γ射线辐照处理SrAl_2O_4…Eu^(2+),Dy^(3+)荧光粉的长余辉性能

采用γ射线对SrAl_2O_4…Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉荧光材料进行辐照处理,研究样品经辐照后的长余辉性能。用60 Co~γ射线源照射固相合成的SrAl_2O_4…Eu^(2+),Dy^(3+)长余辉荧光材料样品,累积辐照剂量为100kGy。利用X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪、紫外可见分光光度计、荧光分光光度计及热释光(TL)光谱仪对辐照前后样品的晶体结构、光吸收特性、余辉及热释光特性进行了研究。结果表明:辐照后样品的晶胞体积减小,氧空位的浓度增加;由于辐照使样品中引入更多的缺陷,其吸收光谱的强度提高。辐照后样品的余辉寿命延长,余辉光谱强度增加;热释光强度增加,且光谱向高温方向偏移,经计算得到辐照后样品中陷阱能级深度增加0.0039eV,表明辐照影响了样品中陷阱能级分布且增加了样品中的深能级陷阱数目。